Canvis

{{principal|Transistor|Circuit integrat}}

{{principal|Transistor|Circuit integrat}}

[[Archiu:InternalIntegratedCircuit2.JPG|310px|thumb|Detall d'un [[circuit integrat]] ]]

[[Archiu:InternalIntegratedCircuit2.JPG|310px|thumb|Detall d'un [[circuit integrat]] ]]

L'[[electrònica]], que estudia i ampre sistemes el funcionament dels quals es basa en la conducció i el control del fluix microscòpic dels [[electrons]] o atres partícules carregades elèctricament, començà en el [[diodo]] de buit inventat per [[John Ambrose Fleming]] el [[1904]], dispositiu basat en l'[[efecte Edison]]. En el temps les [[vàlvula de buit|vàlvules de buit]] s'anaren perfeccionant i millorant, apareixent atres tipos i [[miniaturisació|miniaturisant-se]]. El pas essencial el donà el físic estatunidenc [[Walter Houser Brattain]] (1902-1987), incorporat en 1929 als [[laboratoris Bell]], on fon partícip juntament en [[John Bardeen]] (1908-1991) -incorporat el 1945- i [[William Bradford Shockley]] de l'invent d'un chicotet dispositiu electrònic [[semiconductor]] que complia funcions d'[[Amplificador electrònic |amplificador]], [[oscilador]], [[Commutador elèctric|commutador]] o [[rectificador]]: el [[transistor]]. La paraula elegida per denominar-lo és la contracció anglesa de ''transfer resistor'' (resistència de transferència). Substitut de la [[vàlvula al buit|vàlvula termoiònica]] de tres electrodos o [[triodo]], el primer [[transistor]] de puntes de contacte funcionà al decembre del [[1947]]; s'anuncià per primera vegada el 1948 pero no s'acabà de fabricar fins al [[1952]], després de conseguir construir un dispositiu en [[germani]] el [[4 de juliol]] del [[1951]], culminant així el seu desenroll. El [[transistor d'unió bipolar]] aparegué una mica més tart, el [[1949]], i és el dispositiu utilisat actualment per la majoria de les aplicacions electròniques. Els seus aventages respecte a les vàlvules són entre atres menor mida i fragilitat, major rendiment energètic, menors tensions d'alimentació i consum d'energia. El transistor no funciona en buit com les vàlvules, sino en un estat sòlit semiconductor (silici), motiu pel qual no necessiten centenars de volts de tensió per funcionar.  

L'[[electrònica]], que estudia els sistemes i el funcionament dels quals es basa en la conducció i el control del fluix microscòpic dels [[electrons]] o atres partícules carregades elèctricament, començà en el [[diodo]] de buit inventat per [[John Ambrose Fleming]] en l'any [[1904]], dispositiu basat en l'[[efecte Edison]]. En el temps les [[vàlvula de buit|vàlvules de buit]] s'anaren perfeccionant i millorant, apareixent atres tipos i [[miniaturisació|miniaturisant-se]]. El pas essencial el donà el físic estadounidenc [[Walter Houser Brattain]] ([[1902]]-[[1987]]), incorporat en [[1929]] als [[laboratoris Bell]], a on fon partícip juntament en [[John Bardeen]] ([[1908]]-[[1991]]) -incorporat en [[1945]]- i [[William Bradford Shockley]] de l'invent d'un chicotet dispositiu electrònic [[semiconductor]] que complia funcions d'[[Amplificador electrònic |amplificador]], [[oscilador]], [[Commutador elèctric|commutador]] o [[rectificador]]: el [[transistor]].  

El transistor ha contribuït, com cap atra invenció, al gran desenroll actual de l'[[electrònica]] i la [[informàtica]], sent utilisat comercialment en tot tipo d'aparells electrònics, tant domèstics com industrials. La primera aplicació d'estos dispositius es féu en els [[audiòfon]]s. Pel seu treball en els semiconductors i pel descobriment del transistor, Walter Houser Brattain compartí en Shockley i Bardeen el [[1956]] el [[Premi Nobel de Física]].<ref>[http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/brattain-bio.html Biografia de Walter Houser Brattain] (en inglés).nobelprize.org [21-05-2008]</ref>

La paraula elegida per denominar-lo és la contracció anglesa de ''transfer resistor'' (resistència de transferència). Substitut de la [[vàlvula al buit|vàlvula termoiònica]] de tres electrodos o [[triodo]], el primer [[transistor]] de puntes de contacte funcionà en [[decembre]] de l'any [[1947]]; s'anuncià per primera vegada en [[1948]] pero no s'acabà de fabricar fins a l'any [[1952]], després de conseguir construir un dispositiu en [[germani]] el [[4 de juliol]] de [[1951]], culminant aixina el seu desenroll. El [[transistor d'unió bipolar]] aparegué un poquet més tart, en [[1949]], i és el dispositiu utilisat actualment per la majoria de les aplicacions electròniques. Les seues ventages respecte a les vàlvules són entre atres menor mida i fragilitat, major rendiment energètic, menors tensions d'alimentació i consum d'energia. El transistor no funciona en buit com les vàlvules, sino en un estat sòlit semiconductor (silici), motiu pel qual no necessiten centenars de volts de tensió per funcionar.  

La construcció de [[circuit electrònic|circuits electrònics]] permeté resoldre molts problemes pràctics (control, processament i distribució d'informació, conversió i distribució de l'energia elèctrica, etc.). El [[1958]] es desenrollà el primer [[circuit integrat]], que integrava sis transistors en un únic [[Circuit integrat|chip]], i el 1970 es desenrollà el primer [[microprocessador]] ([[Intel 4004]]).

El transistor ha contribuït, com cap atra invenció, al gran desenroll actual de l'[[electrònica]] i la [[informàtica]], sent utilisat comercialment en tot tipo d'aparells electrònics, tant domèstics com industrials. La primera aplicació d'estos dispositius es féu en els [[audiòfon]]s. Pel seu treball en els semiconductors i pel descobriment del transistor, Walter Houser Brattain compartí en Shockley i Bardeen en [[1956]] el [[Premi Nobel de Física]].<ref>[http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/brattain-bio.html Biografia de Walter Houser Brattain] (en inglés).nobelprize.org [21-05-2008]</ref>

Actualment, els camps de desenroll de l'electrònica són tan bastos que s'ha dividit en diverses ciències especialisades, partint de la distinció entre [[electrònica analògica]] i [[electrònica digital]]; i en els camps de l'[[ingenieria electrònica]], l'[[electromecànica]], la [[informàtica]] (disseny de [[programari]] pel seu control), l'[[electrònica de control]], les [[telecomunicacions]] i l'[[electrònica de potència]].<ref> González Gómez, Juan [http://www.iearobotics.com/personal/juan/docencia/apuntes-ssdd-0.3.7.pdf Circuits i sistemes digitals] Universitat Pontifícia de Salamanca Madrit. [24-05-2008]</ref>

La construcció de [[circuit electrònic|circuits electrònics]] permeté resoldre molts problemes pràctics (control, processament i distribució d'informació, conversió i distribució de l'energia elèctrica, etc.). En l'any [[1958]] es desenrollà el primer [[circuit integrat]], que integrava sis transistors en un únic [[Circuit integrat|chip]], i en l'any [[1970]] es desenrollà el primer [[microprocessador]] ([[Intel 4004]]).

El [[1951]] Bardeen, un dels dissenyadors del transistor, ingressà en la [[Universitat d'Illinois]], nomenant assistent personal el físic [[Nick Holonyak]], el qual posteriorment dissenyaria el primer [[diodo LED]] el [[1962]]. Treballà juntament en [[Leon N. Cooper]] i [[John Robert Schrieffer]] per crear la teoria estàndart de la [[superconductivitat]], és a dir, la desaparició de la resistència elèctrica en certs metals i aleacions a temperatures propenques al [[zero absolut]]. Per estos treballs compartí de nou, el [[1972]], el [[Premi Nobel de Física]] en els físics estatunidencs [[Leon N. Cooper]] i [[John R. Schrieffer]]. Això feu que ell fos el primer científic que guanyà dos premis Nobel en la mateixa disciplina.<ref>Martinez Domínguez. Fernando[http://www.webcitation.org/query?id=1256589243614137&url=www.geocities.com/SiliconValley/Program/7735/ Biografia de Jonh Bardeen] Història de l'electricitat. [21-”5-2008]</ref> Les aplicacions de la superconductivitat estan encara en les primeres fases del seu desenroll, pero ya han permés els [[electroimants]] més poderosos (que s'utilisen en el [[tren Maglev]], [[ressonància magnètica nuclear]] i [[acceleradors de partícules]]); [[circuit digital|circuits digitals]] i filtres de [[radiofreqüència]] i [[microones]] per estacions base de [[telefonia mòbil]]; o els [[magnetòmetre]]s més sensibles ([[efecte Josephson|unions Josephson]], dels [[SQUID]]s -dispositius superconductors d'interferència quàntica-).

 

En [[1951]] Bardeen, un dels dissenyadors del transistor, ingressà en la [[Universitat d'Illinois]], nomenant assistent personal el físic [[Nick Holonyak]], el qual posteriorment dissenyaria el primer [[diodo LED]] en l'any [[1962]]. Treballà juntament en [[Leon N. Cooper]] i [[John Robert Schrieffer]] per a crear la teoria estàndart de la [[superconductivitat]], és dir, la desaparició de la resistència elèctrica en certs metals i aleacions a temperatures propenques al [[zero absolut]]. Per estos treballs compartí de nou, em [[1972]], el [[Premi Nobel de Física]] en els físics estadounidencs [[Leon N. Cooper]] i [[John R. Schrieffer]]. Això feu que ell fos el primer científic que guanyà dos premis Nobel en la mateixa disciplina.<ref>Martinez Domínguez. Fernando[http://www.webcitation.org/query?id=1256589243614137&url=www.geocities.com/SiliconValley/Program/7735/ Biografia de Jonh Bardeen] Història de l'electricitat. [21-”5-2008]</ref> Les aplicacions de la superconductivitat estan encara en les primeres fases del seu desenroll, pero ya han permés els [[electroimants]] més poderosos (que s'utilisen en el [[tren Maglev]], [[ressonància magnètica nuclear]] i [[acceleradors de partícules]]); [[circuit digital|circuits digitals]] i filtres de [[radiofreqüència]] i [[microones]] per estacions base de [[telefonia mòbil]]; o els [[magnetòmetre]]s més sensibles ([[efecte Josephson|unions Josephson]], dels [[SQUID]]s -dispositius superconductors d'interferència quàntica-).

=== El repte de la generació d'electricitat ===

=== El repte de la generació d'electricitat ===