Telururo de zinc
El telururo de zinc és un compost químic binario de fòrmula ZnTe. Este sòlit és un material semiconductor en una brecha de banda directa de 2,26 eV.[1] Sol ser un semiconductor de tipo p. El seu estructura cristalina és cúbica, com la de l'esfalerita i el diamant.[2]
Propietats
[editar | editar còdic]
El ZnTe té l'aspecte de pols grisa o roig parduzco, o de cristals roig rubí quan es refina per sublimació. El telururo de zinc sol tindre una estructura cristalina cúbica (esfalerita, o "zincblenda"), pero també pot preparar-se com a cristals d'ix gema o en cristals hexagonals (estructura wurtzita). Irradiada per un fes òptic potent, es crema en presència d'oxigen. El seu constant de ret és de 0,6101 nm, lo que permet el seu cultiu en o sobre antimoniuro d'alumini, antimoniuro de gali, arseniuro d'indi i seleniuro de plom. En un cert desajust de ret, també pot créixer sobre atres substrats com el GaAs,[4] i pot créixer en forma policristalina (o nanocristalina) de capa fina sobre substrats com el vidre, per eixemple, en la fabricació de cèlules solars de capa fina. En l'estructura cristalina wurtzita (hexagonal), té paràmetros de ret a = 0,427 i c = 0,699 nm.[5]
Aplicacions
[editar | editar còdic]Optoelectrònica
[editar | editar còdic]El telururo de zinc es pot dopar fàcilment, per lo que és un dels materials semiconductors més utilisats en optoelectrònica. El ZnTe és important per al desenroll de diversos dispositius semiconductors, com LED blaus, diodos làser, cèlules solars i components de generadors de microones. Pot utilisar-se en cèlules solars, per eixemple, com a capa de camp de la superfície posterior i material semiconductor de tipo p per a una estructura CdTe/ZnTe [6]o en estructures de diodos PIN.
El material també pot utilisar-se com a component de composts semiconductors ternarios, com CdxZn(1-x)Et (conceptualment una mescla composta dels membres finals ZnTe i CdTe), que poden fabricar-se en una composició x variable per a permetre ajustar el bandgap òptic segons es desige.
Òptica no llineal
[editar | editar còdic]El telururo de zinc, junt en el niobato de liti, s'utilisa a sovint per a generar polsos de radiació de terahercios en l'espectroscòpia de terahercios en el domini del temps i l'obtenció d'imàgens de terahercios. Quan un cristal d'este material se somet a un pols de llum d'alta intensitat de duració inferior a un picosegundo, emet un pols de freqüència de terahercio per mig d'un procés òptic no llineal denominat rectificació òptica.[7]A l'inversa, sometre un cristal de telururo de zinc a radiació terahercio fa que mostre birrefringencia òptica i canvie la polarisació d'una llum transmisora, lo que ho convertix en un detector electroóptico.
El telururo de zinc dopat en vanadi, "ZnTe:V", és un material òptic fotorrefractivo no llineal de possible us en la protecció de sensors en llongituts d'ona visibles. Els llimitadors òptics de ZnTe:V són llaugers i compactes, sense l'òptica complicada dels llimitadors convencionals. El ZnTe:V pot bloquejar un fes perturbador d'alta intensitat procedent d'un deslumbrador làser, sense deixar de passar l'image de menor intensitat de l'escena observada. També pot utilisar-se en interferometría holográfica, en interconexions òptiques reconfigurables i en dispositius de conjugació de fase òptica làser. Oferix un rendiment fotorrefractivo superior en llongituts d'ona entre 600 i 1300 nm, en comparació a atres semiconductors composts III-V i II-VI. Afegint manganeso com dopante adicional (ZnTe:V:Mn), el seu rendiment fotorrefractivo pot aumentar considerablement.
Referències
[editar | editar còdic]- ↑ (2011) CRC handbook of chemistry and physics: a ready-reference book of chemical and physical data, 92nd ed., 2011 - 2012 edició, CRC Press, p. 12.80.. ISBN 978-1-4398-5511-9.
- ↑ (2011) CRC handbook of chemistry and physics: a ready-reference book of chemical and physical data, 92nd ed., 2011 - 2012 edició, CRC Press, p. 12.85.. ISBN 978-1-4398-5511-9.
- ↑ “Dynamic probe of ZnTe(110) surface by scanning tunneling microscopy” (2015). Science and Technology of Advanced Materials 16 (1): 015002. doi:. PMID 27877752. Bibcode: 2015STAdM..16a5002K.
- ↑ Department of Physics, University of Notre Dona'm.
- ↑ Kittel, C. (1976) Introduction to Solid State Physics, 5th edition, p. 28.
- ↑ “Numerical modeling of CdS/Cd Et and CdS/Cd Et/Zn Et solar cells as a function of Cd Et thickness” (2007). Solar Energy Materials and Solar Cells 91 (13): 1202. doi:.
- ↑ THz Generation and Detection in ZnTe. chem.yale.edu
- Este artícul conté una traducció derivada de «Telururo de zinc» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.