Paràmetro de ret
Un paràmetro de ret és una distància o un àngul que definix geomètricament a la cela unitària sobre la seua estructura cristalina. La cela unitària queda definida per sis paràmetros: la llongitut de tres arestes a, b i c; i tres ànguls interaxiales α, β i γ.[1] Els paràmetros de ret poden ser medits per mig de difracció per rajos X.
En el creiximent epitaxial, el paràmetro de ret és una medició de la compatibilitat estructural entre diferents materials.
La coincidència de paràmetros de ret és important per a fer créixer capes fines d'uns materials sobre uns atres; quan estos paràmetros són diferents es formen irregularitats en la capa i es fa impossible fer créixer noves capes sense defectes.
La coincidència de paràmetros de ret entre dos materials semiconductors permet formar una regió en un ample de banda prohibida distint sense variar la ret cristalina. D'esta manera es construïxen LEDs i diodos làser.
Per eixemple, el GaAs, l'AlGaAs i l'Ales tenen paràmetros de ret casi idèntics, fent possible créixer capes de qualsevol gruixa unes damunt d'unes atres.
Referències
[editar | editar còdic]- ↑ Callister Jr., William D. (2016). Introducció a la ciència i ingenieria dels materials, Reverté. ISBN 978-84-291-7251-5.
- Este artícul conté una traducció derivada de «Parámetro de red» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.