Electrònica d'estat sòlit

La electrònica d'estat sòlit s'ocupa d'aquells circuits o dispositius construïts totalment de materials sòlits i en els que els electrons, o uns atres portadors de càrrega, estan confinats enterament dins del material sòlit. El terme s'utilisa a sovint per a contrastar en les tecnologies anteriors de buit i dispositius de tubo de descàrrega de gas i també s'ha convingut en excloure del terme estat sòlit als dispositius electromecànics (relés, interruptorés, discs durs i atres dispositius en parts mòvils). Encara que estat sòlit pot incloure sòlits monocristalinos , policristalinos i amorfos referits a conductors elèctrics, aïllants i semiconductorés, el material de construcció més a sovint utilisat és un semiconductor cristalí. Els dispositius d'estat sòlit comuns inclouen transistorés, microprocessadorés i chips de memòria RAM. Un tipo especialisat de RAM cridada memòria flash utilisada en les memòries USB i, més recentment, en les unitats d'estat sòlit per a substituir als discs durs magnètics de rotació mecànica. Dins del dispositiu té lloc una cantitat considerable d'acció electromagnètica i de mecànica quàntica. La denominació es va impondre en la década de 1950 i en la de 1960, durant la transició des de la tecnologia del tubo de buit cap als diodos i transistors semiconductorés. Més recentment, el circuit integrat (IC), el diodo emissor de llum (LED) i la pantalla de cristal líquit (LCD) han evolucionat com atres eixemples de dispositius d'estat sòlit.

En un component d'estat sòlit, la corrent està confinada a elements sòlits i composts dissenyats específicament per a commutar-la i amplificar-la. El fluix de corrent es pot entendre de dos formes: com a càrrega negativa d'electrons i com a deficiències d'electrons carregades positivament, denominades buits.

El primer dispositiu d'estat sòlit va ser el "detector de bigots de gat", utilisat per primera volta en 1930 en els receptors de ràdio. Es coloca un aram similar a un bigot llaugerament en contacte en un cristal sòlit (com el cristal de germani) en la finalitat de detectar una senyal de radi per efecte de l'unió de contacte. El dispositiu d'estat sòlit va fer pròpiament la seua entrada en l'invenció del transistor en 1947.