Memòria d'accés aleatori
La memòria d'accés aleatori (pels seus siglas en anglés Random Access Memory, RAM) és una memòria d'almagasenage a curt determini. El sistema operatiu de computadoras o atres dispositius utilisa la memòria RAM per a guardar de forma temporal tots els programes i els seus processos d'eixecució.[1] En la RAM es carreguen totes les instruccions que eixecuta la unitat central de processament (CPU) i atres unitats de la computadora, ademés de contindre les senyes que manipulen els distints programes.[2][3]
Es diu «d'accés aleatori» perque es pot llegir o escriure en una posició de memòria en igual temps d'espera per a qualsevol posició, no requerint un orde per a accedir (accés seqüencial) a l'informació de la manera més ràpida possible. Durant l'encés de la computadora, la rutina POST verifica que els mòduls de RAM estiguen ben conectats. En el cas de que no existixquen o no li'ls detecte, la majoria de les plaques base emeten sons que indiquen l'absència de la memòria principal. Terminat eixe procés, la memòria BIOS pot realisar un test bàsic de la RAM indicant fallos majors en ella.[4]
Història
[editar | editar còdic]
En 1947, Tom Kilburn, Frederic Calland Williams i Geoff Tootill de la Universitat de Mánchester varen desenrollar la primera memòria RAM pràctica, el Tubo Williams (Williams tube),[5] La memòria estava construït a partir d'un tubo de rajos catódicos i es va utilisar en èxit en el primer computador del món en programa almagasenat, el Manchester Baby en 1948.[6][7][8]
Un dels primers tipos de memòria RAM va ser la memòria de núcleu magnètic, desenrollada entre 1949 i 1952 i usada en molts computadors fins al desenroll de circuits integrats a finals dels anys 60 i principis dels 70. Eixa memòria requeria que cada bit estiguera almagasenat en un toroide de material ferromagnético d'alguns milímetros de diàmetro, lo que resultava en dispositius en una capacitat de memòria molt chicoteta. Abans que això, les computadores usaven relés i llínees de retardo de varis tipos construïdes per a implementar les funcions de memòria principal en o sense accés aleatori. En 1969 varen ser llançades una de les primeres memòries RAM basades en semiconductors de silici per part d'Intel Corporation en l'integrat 3101 de 64 bits de memòria i per al següent any es va presentar una memòria DRAM de 1024 bits, referència 1103 que es va constituir en una fita, ya que va ser la primera en ser comercialisada en èxit, lo que va significar el principi del fi per a les memòries de núcleu magnètic. En comparació als integrats de memòria DRAM actuals, la 1103 és primitiva en varis aspectes, pero tenia un eixercite major que la memòria de núcleus. En 1973 es va presentar una innovació que va permetre una atra miniaturisació i es va convertir en estàndart per a les memòries DRAM: la multiplexación en temps de la direccionar de memòria. Mostek va llançar la referència MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines,Erro en la cita: Element <ref> no vàlit;
les referencies sense nom deuen de tindre contingut mentres els seus competidors les fabricaven en el empaque DIP de 22 pines. L'esquema de direccionament[9] es va convertir en un estàndart de facto per la gran popularitat que va conseguir esta referència de DRAM. Per a finals dels 70 els integrats eren usats en la majoria de computadors nous, es soldaban directament a les plaques base o s'instalaven en zócalos, de modo que ocupaven un àrea extensa de circuit imprés. Després es va fer obvi que instalar la RAM en l'imprés principal impedia miniaturizar, llavors es varen idear els primers mòduls de memòria com el SIPP, usant les ventages de la construcció modular. El format SIMM va ser una millora a l'anterior. Va eliminar els pines metàlics i va deixar àrees de coure en un de les vores de l'imprés, molt similars als de les targetes d'expansió, de fet els mòduls SIPP i els primers SIMM tenen igual distribució de pines. A fins dels 80 l'aument de velocitat dels processadors i l'aument en l'ample de banda requerit, varen deixar arrere a les memòries DRAM en l'esquema original MOSTEK, de manera que es varen realisar millores en el direccionament com les següents:
Durant la segona mitat de 2025, els preus de la RAM varen pujar entre 30% i 60% en el mercat i, en alguns casos, els chips usats per a unitats SSD es varen duplicar de preu. La relació entre abdós casos és la demanda dels centres de senyes enfocades en IA generativa. Per a 2026, es preveu que la producció de memòries alvançades, com HBM, estiga totalment compromesa, ya que la de NAND d'alta densitat s'ha venut per avant i fins als mòduls DDR5 i LPDDR per a teléfons tindrien una disponibilitat llimitada. Este efecte també impactaria als preus de PCs, laptops, teléfons inteligents, servidors per a chicotetes empreses i fins als sistemes d'almagasenament domèstic que serien més cars per al consumidor comú.[10]
FPM RAM
[editar | editar còdic]Fast Page Mode RAM (FPM-RAM) va ser inspirat en tècniques com el Burst Mode usat en processadors com el Intel 486.[11] Es va implantar un modo direccionador en el que el controlador de memòria envia una sola direcció i rep a canvi eixa i vàries consecutives sense necessitat de generar totes. Açò aforra temps, ya que certes operacions són repetitives en voler accedir a moltes posicions seguides. És com si desijàrem visitar totes les cases en un carrer: despuix de la primera volta no seria necessari dir el número del carrer, sino només seguir la mateixa. Es fabricaven en temps d'accés de 70 o 60 ns i varen ser molt populars en sistemes basats en el 486 i primers Pentium.
EDO RAM
[editar | editar còdic]Estendre Data Output RAM (EDO-RAM) va ser llançada al mercat en 1994 i en temps d'accessos de 40 o 30 ns suponia una millora sobre FPM, la seua antecessora. La EDO, també és capaç d'enviar direccions contigües pero direccionar la columna que va a utilisar mentres es llig l'informació de la columna anterior, resultant en eliminar estats d'espera mantenint actiu el búfer d'eixida fins que comença el pròxim cicle de llectura.
BEDO RAM
[editar | editar còdic]Burst Estendre Data Output RAM (BEDO-RAM) va ser l'evolució de la EDO-RAM i competidora de la SDRAM, va ser presentada en 1997. Era un tipo de memòria que usava generadors interns de direccions i accedia a més d'una posició de memòria en cada cicle de rellonge, de manera que conseguia un 50 % de beneficis, millor que la EDO. No es va comerciar, puix Intel i atres fabricants es varen decidir per esquemes de memòria síncronos que si be tenien molt del direccionament MOSTEK, sumaven funcions distintes com a senyals de rellonge, entre unes atres.
Tipos de RAM
[editar | editar còdic]Les tres formes principals de RAM moderna són:[12][13][14]
- SRAM (Static Random Access Memory), RAM estàtica, memòria estàtica d'accés aleatori.
- volàtils.
- no volàtils:
- NVRAM (senar-volatile random access memory), memòria d'accés aleatori no volàtil
- MRAM (magnetoresistive random-access memory), memòria d'accés aleatori magnetorresistiva o magnètica
- DRAM (Dynamic Random Access Memory), RAM dinàmica, memòria dinàmica d'accés aleatori.
- DRAM Asincrónica (Asynchronous Dynamic Random Access Memory), memòria d'accés aleatori dinàmica asincrónica.
- FPM RAM (Fast Page Mode RAM)
- EDO RAM (Estendre Data Output RAM)
- SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory), memòria d'accés aleatori dinàmica sincrónica
- Rambus:
- SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory, SDRAM de taxa de senyes simple)
- DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random-Access Memory, SDRAM de taxa de senyes doble)
- DDR2 SDRAM (Double Data Rate type two SDRAM, SDRAM de taxa de senyes doble de tipo dos)
- DDR3 SDRAM (Double Data Rate type three SDRAM, SDRAM de taxa de senyes doble de tipo tres)
- DDR4 SDRAM (Double Data Rate type four SDRAM, SDRAM de taxa de senyes doble de tipo quatre).
- DDR5 SDRAM (Double Data Rate type five SDRAM, SDRAM de taxa de senyes doble de tipo cinc).
- DRAM Asincrónica (Asynchronous Dynamic Random Access Memory), memòria d'accés aleatori dinàmica asincrónica.
- VRAM (Video Random Access Memory) memòria gràfica d'accés aleatori és un tipo de memòria RAM que utilisa el controlador gràfic per a poder manejar tota l'informació visual que li envia la CPU del sistema. La principal característica d'esta classe de memòria és que és accessible de forma simultànea per dos dispositius. D'esta manera, és possible que la CPU grave informació en ella, mentres es lligen les senyes que seran visualisats en el monitor en cada moment. Per esta raó també es classifica com a Dual-Ported. En un principi (microprocessadorés de 8 bits) i cridava aixina a la memòria solament accessible directament pel processador gràfic, devent la CPU carregar les senyes a través d'ell. Podia donar-se el cas d'equips en més memòria VRAM que RAM (com alguns models redactors de MSX2 , que contaven en 64 KiB de RAM i 128 KiB de VRAM). Tipos de VRAM:
- SONIC (serial s memory): el mòdul SAM (usualment en la forma d'un registre linear) no és canviat pels càlculs i conté els senyas que van a ser utilisats pel RAMDAC. Açò ho convertix en memòria seqüencial, que al contrari de la RAM de senyes solament pot ser evaluada successivament (d'un modo similar a una casset. La SAM pot seleccionar-se molt més ràpidament que la RAM, puix en principi no necessita càlculs de direccionament.
Nomenclatura
[editar | editar còdic]L'expressió memòria RAM s'utilisa freqüentment per a descriure als mòduls de memòria utilisats en les computadores personals i servidorés. La RAM és solament una varietat de la memòria d'accés aleatori: les ROM, memòries Flash, caché (SRAM), els registres en processadors i atres unitats de processament també posseïxen la qualitat de presentar retardos d'accés iguals per a qualsevol posició. Els mòduls de RAM són la presentació comercial d'este tipo de memòria, que es compon de circuits integrats soldats sobre un circuit imprés independent, en atres dispositius com les consoles de videojocs, la RAM va soldada directament sobre la placa principal.
Mòduls de RAM
[editar | editar còdic]
Els mòduls de RAM són targetes o plaques de circuit imprés que tenen soldats chips de memòria DRAM, per una o abdós cares. L'implementació DRAM es basa en una topología de circuit elèctric que permet alcançar densitat altes de memòria per cantitat de transistors, conseguint integrats de centenars o mils de megabits. Ademés de DRAM, els mòduls posseïxen un integrat que permeten l'identificació dels mateixos davant la computadora per mig del protocol de comunicació Serial Presence Detect (SPD). La conexió en els demés components es realisa per mig d'un àrea de pines en un dels talls del circuit imprés, que permeten que el mòdul en ser instalat en un zócalo o recalat apropiada de la placa base, tinga bon contacte elèctric en els controladors de memòria i les fonts d'alimentació. La necessitat de fer intercanviable els mòduls, i d'utilisar integrats de distints fabricants, va conduir a l'establiment d'estàndarts de l'indústria com els Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC).
- Paquet DIP (Dual In-line Package, paquet de pines en-llínea doble).
- Paquet SIPP (Single In-line Pin Package, paquet de pines en-llínea simple): varen ser els primers mòduls comercials de memòria, de format propietari, és dir, no hi havia un estàndart entre distintes marques.
- Mòduls RIMM (Rambus In-line Memory Module, mòdul de memòria en-llínea rambus): Varen ser atres mòduls propietaris prou coneguts, ideats per l'empresa RAMBUS.
- Mòduls SIMM (Single In-line Memory Module, mòdul de memòria en-llínea simple): format usat en computadores antigues. Tenien un bus de senyes de 16 o 32 bits.
- Mòduls DIMM (Dual In-line Memory Module, mòdul de memòria en-llínea dual): usat en computadores d'escritori. Es caracterisen per tindre un bus de senyes de 64 bits.
- Mòduls BAIX-DIMM (Small Outline DIMM): usat en computadores portàtils. Format miniaturizado de DIMM.
- Mòduls FB-DIMM (Fully-Buffered Dual Inline Memory Module): usat en servidors.
Tecnologies de memòria
[editar | editar còdic]La tecnologia de memòria actual usa una senyal de sincronisació per a realisar les funcions de llectura/escritura de manera que sempre està sincronisada en un rellonge del bus de memòria, a diferència de les antigues memòries FPM i EDO que eren asíncronas. Tota l'indústria es va decantar per les tecnologies síncronas, perque permeten construir integrats que funcionen a una freqüència superior a 66 MHz.
| Cantitat de pines | Tipos de DIMM | Usats per: | Observacions |
|---|---|---|---|
| 072 | BAIX-DIMM | FPM-DRAM i EDO-DRAM | (no el mateix que un 72-pin SIMM) |
| 100 | DIMM | printer SDRAM | |
| 144 | BAIX-DIMM | SDR SDRAM | |
| 168 | DIMM | SDR SDRAM | (menys freqüent per a FPM/EDO DRAM en àrees de treball i/o servidors) |
| 172 | Micro-DIMM | DDR SDRAM | |
| 184 | DIMM | DDR SDRAM | |
| 200 | BAIX-DIMM | DDR SDRAM i DDR2 SDRAM | |
| 204 | BAIX-DIMM | DDR3 SDRAM | |
| 240 | DIMM | DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM i Fully Buffered DIMM (FB-DIMM) DRAM | |
| 244 | Mini-DIMM | DDR2 SDRAM | |
| 288 | DIMM | DDR4 SDRAM, DDR5 SDRAM |
SDR SDRAM
[editar | editar còdic]- Artícul principal → SDR SDRAM.
Memòria síncrona, en temps d'accés d'entre 25 i 10 ns i que es presenten en mòduls DIMM de 168 contactes. Va ser utilisada en els Pentium II i en els Pentium III, aixina com en els AMD K6, AMD Athlon K7 i Duron. Està molt estesa la creència de que es diu SDRAM a seques, i que la denominació SDR SDRAM és per a diferenciar-la de la memòria DDR, pero no és aixina, simplement es va estendre molt ràpit la denominació incorrecta. El nom correcte és SDR SDRAM ya que abdós (tant la SDR com la DDR) són memòries síncronas dinàmiques. Els tipos disponibles són:
- PC66: SDR SDRAM, funciona a un máx de 66,6 MHz.
- PC100: SDR SDRAM, funciona a un máx de 100 MHz.
- PC133: SDR SDRAM, funciona a un máx de 133,3 MHz.
RDRAM
[editar | editar còdic]- Artícul principal → RDRAM.
Es presenten en mòduls RIMM de 184 contactes. Va ser utilisada en els Pentium 4. Era la memòria més ràpida en el seu temps, pero pel seu elevat cost va ser ràpidament canviada per l'econòmica DDR. Els tipos disponibles són:
- PC600: RIMM RDRAM, funciona a un màxim de 300 MHz.
- PC700: RIMM RDRAM, funciona a un màxim de 350 MHz.
- PC800: RIMM RDRAM, funciona a un màxim de 400 MHz.
- PC1066: RIMM RDRAM, funciona a un màxim de 533 MHz.
- PC1200: RIMM RDRAM, funciona a un màxim de 600 MHz.
DDR SDRAM
[editar | editar còdic]- Artícul principal → DDR SDRAM.
Memòria síncrona, envia les senyes dos voltes per cada cicle de rellonge. D'esta manera treballa al doble de velocitat del bus del sistema, sense necessitat d'aumentar la freqüència de rellonge. Es presenta en mòduls DIMM de 184 contactes en el cas d'una computadora d'escritori i en mòduls de 144 contactes per a les computadores portàtils. La nomenclatura utilisada per a definir als mòduls de memòria de tipo DDR (açò inclou als formats DDR2, DDR3 i DDR4) és la següent: DDRx-yyyy PCx-zzzz; a on x representa a la generació DDR en qüestió; yyyy la freqüència aparent o efectiva, en Megaciclos per segon (MHz); i zzzz la màxima taxa de transferència de senyes per segon, en Megabytes, que es pot conseguir entre el mòdul de memòria i el controlador de memòria. La taxa de transferència depén de dos factors, l'ample de bus de senyes (per lo general 64 bits) i la freqüència aparent o efectiva de treball. La fòrmula que s'utilisa per a calcular la màxima taxa de transferència per segon entre el mòdul de memòria i el seu controlador, és la següent:
Taxa de transferència en MB/s = (Freqüència DDR efectiva) × (64 bits / 8 bits per cada byte)[15]
Per eixemple:
1 GB DDR-400 PC-3200: Representa un mòdul d'1 GB (Gigaoctet) de tipo DDR; en freqüència aparent o efectiva de treball de 400 MHz; i una taxa de transferència de senyes màxima de 3200 MB/s.
4 GB DDR3-2133 PC3-17000: Representa un mòdul de 4 GB de tipo DDR3; freqüència aparent o efectiva de treball de 2133 MHz; i una taxa de transferència de senyes màxima de 17000 MB/s. Els tipos disponibles són:
- PC1600 o DDR 200: funciona a un máx de 200 MHz.
- PC2100 o DDR 266: funciona a un máx de 266,6 MHz.
- PC2700 o DDR 333: funciona a un máx de 333,3 MHz.
- PC3200 o DDR 400: funciona a un máx de 400 MHz.
- PC3500 o DDR 433 funciona a un máx de 433 MHz.
- PC4500 o DDR 500: funciona a una máx de 500 MHz.
DDR2 SDRAM
[editar | editar còdic]- Artícul principal → DDR2 SDRAM.
Les memòries DDR 2 són una millora de les memòries DDR (Double Data Rate), que permeten que els búferes d'entrada/eixida treballen al doble de la freqüència del núcleu, permetent que durant cada cicle de rellonge es realisen quatre transferències. Es presenten en mòduls DIMM de 240 contactes. Els tipos disponibles són:
- PC2-3200 o DDR2-400: funciona a un máx de 400 MHz.
- PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un máx de 533,3 MHz.
- PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un máx de 666,6 MHz.
- PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un máx de 800 MHz.
- PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un máx de 1066,6 MHz.
- PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un máx de 1200 MHz.
DDR3 SDRAM
[editar | editar còdic]- Artícul principal → DDR3 SDRAM.
Les memòries DDR 3 són una millora de les memòries DDR 2, proporcionen significantes millores en el rendiment en nivells de baix voltage, lo que du en si una disminució de la despesa global de consum. Els mòduls DIMM DDR 3 tenen 240 pines, el mateix número que DDR 2; no obstant, els DIMMs són físicament incompatibles, per una ubicació diferent de la muesca. Els tipos disponibles són:
- PC3-6400 o DDR3-800: funciona a un máx de 800 MHz.
- PC3-8500 o DDR3-1066: funciona a un máx de 1066,6 MHz.
- PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un máx de 1333,3 MHz.
- PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un máx de 1600 MHz.
- PC3-14900 o DDR3-1866: funciona a un máx de 1866,6 MHz.
- PC3-17000 o DDR3-2133: funciona a un máx de 2133,3 MHz.
- PC3-19200 o DDR3-2400: funciona a un máx de 2400 MHz.
- PC3-21300 o DDR3-2666: funciona a un máx de 2666,6 MHz.
DDR4 SDRAM
[editar | editar còdic]- Artícul principal → DDR4 SDRAM.
- PC4-1600 o DDR4-1600: funciona a un máx de 1600 MHz.
- PC4-1866 o DDR4-1866: funciona a un máx de 1866,6 MHz.
- PC4-17000 o DDR4-2133: funciona a un máx de 2133,3 MHz.
- PC4-19200 o DDR4-2400: funciona a un máx de 2400 MHz.
- PC4-25600 o DDR4-2666: funciona a un máx de 2666,6 MHz.
DDR5 SDRAM
[editar | editar còdic]- Artícul principal → DDR5 SDRAM.
- PC5-4800 o DDR5-4800: funciona a un máx de 4800 MHz.
- PC5-5200 o DDR5-5200: funciona a un máx de 5200 MHz.
- PC5-5600 o DDR5-5600: funciona a un máx de 5600 MHz.
- PC5-6000 o DDR5-6000: funciona a un máx de 6000 MHz.
- PC5-6200 o DDR5-6200: funciona a un máx de 6200 MHz.
Relació en el restant del sistema
[editar | editar còdic]
Dins de la jerarquia de memòria, la RAM es troba en un nivell despuix dels registres del processador i de les cachés sobre velocitat. Els mòduls de RAM es conecten eléctricamente a un controlador de memòria que gestiona les senyals entrantes i eixints dels integrats DRAM. Les senyals són de tres tipos: direccionament, senyes i senyals de control. En el mòdul de memòria eixes senyals estan dividides en dos busos i un conjunt miscelàneu de llínees de control i alimentació. Entre totes formen el bus de memòria que conecta la RAM en el seu controlador:
- Bus de senyes: són les llínees que duen informació entre els integrats i el controlador. Per lo general, estan agrupats en octets sent de 8, 16, 32 i 64 bits, cantitat que deu igualar l'ample del bus de senyes del processador. En el passat, alguns formats de mòdul, no tenien un ample de bus igual al del processador. En eixe cas calia montar mòduls en parells o en situacions extremes, de 4 mòduls, per a completar lo que es denominava banc de memòria, d'un atre modo el sistema no funciona. Eixa va ser la principal raó per a aumentar el número de pines en els mòduls, igualant a l'ample de bus de processadors com el Pentium a 64 bits, a principis dels anys 1990.
- Bus de direccions: és un bus en el qual es coloquen les direccions de memòria a les que es requerix accedir. No és igual al bus de direccions del restant del sistema, ya que està multiplexado de manera que la direcció s'envia en dos etapes. Per a això, el controlador realisa temporizaciones i usa les llínees de control. En cada estàndart de mòdul s'establix un tamany màxim en bits d'este bus, establint un llímit teòric de la capacitat màxima per mòdul.
- Senyals miscelànees: entre les que estan les de l'alimentació (Vdd, Vss) que s'encarreguen d'entregar potència als integrats. Estan les llínees de comunicació per a l'integrat de presència (Serial Presence Detect) que servix per a identificar cada mòdul. Estan les llínees de control entre les que es troben les cridades RAS (Row Address Strobe) i CAS (Column Address Strobe) que controlen el bus de direccions, per últim estan les senyals de rellonge en les memòries sincrónicas SDRAM. Alguns controladors de memòria en sistemes com a PC i servidors es troben embebidos en el cridat pont nort (North Bridge) de la placa base. Atres sistemes inclouen el controlador dins del mateix processador (en el cas dels processadors des d'AMD Athlon 64 i Intel Core i7 (Nehalem) i posteriors). En la majoria dels casos el tipo de memòria que pot manejar el sistema està llimitat pels sockets per a RAM instalats en la placa base, a pesar de que els controladors de memòria en molts casos són capaços de conectar-se en tecnologies de memòria distintes. Una característica especial d'alguns controladors de memòria, és el maneig de la tecnologia canal doble o doble canal (Dual Channel), a on el controlador maneja bancs de memòria de 128 bits, sent capaç d'entregar les senyes de manera intercalada, optant per un o un atre canal, reduint les latencias vistes pel processador. La millora en l'eixercite és variable i depén de la configuració i us de l'equip. Esta característica ha promogut la modificació dels controladors de memòria, resultant en l'aparició de nous chipsets (la série 865 i 875 d'Intel) o de nous zócalos de processador en els AMD (el 939 en canal doble, reemplace el 754 de canal senzill). Els equips de games mija i alta per lo general es fabriquen basats en chipsets o zócalos que soporten doble canal o superior, com en el cas del zócalo (socket) 1366 d'Intel, que usava un triple canal de memòria, o el seu nou LGA 2011 que usa cuádruple canal.
Detecció i correcció d'errors
[editar | editar còdic]Existixen dos classes d'errors en els sistemes de memòria, els fallos (Hard fails) que són danys en l'hardware i els errors (soft errors) provocats per causes fortuïtes. Els primers són relativament fàcils de detectar (en algunes condicions el diagnòstic és equivocat), els segons en ser resultat d'events aleatoris, són més difícils de trobar. En l'actualitat la confiabilidad de les memòries RAM front als errors, és suficientment alta com per a no realisar verificació sobre les senyes almagasenades, per lo manco per a aplicacions d'oficina i caseres. En els usos més crítics, s'apliquen tècniques de correcció i detecció d'errors basades en diferents estratègies:
- La tècnica del bit de paritat consistix en guardar un bit adicional per cada byte de senyes i en la llectura es comprova si el número d'uns és parell (“paritat parell”) o impar (“paritat impar”), detectant-se aixina l'error.
- Una tècnica millor és la que usa “còdic d'autochequeo i autocorrector” (error-correcting code, ECC), que permet detectar errors d'1 a 4 bits i corregir errors que afecten a un sol bit. Esta tècnica s'usa solament en sistemes que requerixen alta fiabilitat. Per lo general, els sistemes en qualsevol tipo de protecció contra errors té un cost més alt, i sofrixen de chicotetes penalisacions en eixercite, sobre els sistemes sense protecció. Per a tindre un sistema en ECC o paritat, el chipset i les memòries deuen tindre soport per a eixes tecnologies. La majoria de plaques base no posseïxen dit soport. Per als fallos de memòria es poden utilisar ferramentes de software especialisades que realisen proves sobre els mòduls de memòria RAM. Entre estos programes un dels més coneguts és l'aplicació Memtest86+ que detecta fallos de memòria.
RAM registrada
[editar | editar còdic]És un tipo de mòdul usat freqüentment en servidors, posseïx circuits integrats que s'encarreguen de repetir les senyals de control i direccions: les senyals de rellonge són reconstruïdes en ajuda del PLL que està ubicat en el mòdul mateix. Les senyals de senyes es conecten de la mateixa forma que en els mòduls no registrats: de manera directa entre els integrats de memòria i el controlador. Els sistemes en memòria registrada permeten conectar més mòduls de memòria i d'una capacitat més alta, sense que hi haja destorbament en les senyals del controlador de memòria, permetent el maneig de grans cantitats de memòria RAM. Entre les desventages dels sistemes de memòria registrada estan el fet de que s'agrega un cicle de retardo per a cada solicitut d'accés a una posició no consecutiva i un preu més alt que els mòduls no registrats. La memòria registrada és incompatible en els controladors de memòria que no soporten el modo registrat, a pesar de que es poden instalar físicament en el zócalo. Es poden reconéixer visualment perque tenen un integrat mijà, prop del centre geomètric del circuit imprés, ademés de que estos mòduls solen ser alguna cosa més alts.[16]
Durant l'any 2006 vàries marques varen llançar al mercat sistemes en memòria FB-DIMM que en el seu moment es varen pensar com els successors de la memòria registrada, pero es va abandonar eixa tecnologia en 2007 ya que oferia poques ventages sobre el disseny tradicional de memòria registrada i els nous models en memòria DDR3.[17]
Vore també
[editar | editar còdic]Referències
[editar | editar còdic]- ↑ «ionos. mx/digitalguide/servidores/know-how/que-es-la-memoria-ram/ Memòria RAM: ¿qué hi ha darrere?» (en és). IONOS Digitalguide. Consultat el 2022-03-28.
- ↑ «geeksforgeeks. org/random-access-memory-ram/ Random Access Memory (RAM)» (en en-us). GeeksforGeeks. Consultat el 2025-01-03.
- ↑ «howstuffworks. com/ram. htm How RAM Works» (en en-us). HowStuffWorks. Consultat el 2025-01-03.
- ↑ «spiceworks. com/tech/hardware/artículs/what-is-ram/ What is a RAM and How Does it Work? - Spiceworks» (en en-us). Spiceworks Inc. Consultat el 2025-01-03.
- ↑ «computinghistory. org. uk/det/6129/ The Williams-Kilburn tube, the first RAM, is patented - Event - Computing History». www. computinghistory. org. uk. Consultat el 2025-01-03.
- ↑ «ieee. org/the-birth-of-ram The Birth of Random-Access Memory - IEEE Spectrum» (en en). spectrum. ieee. org. Consultat el 2025-01-03.
- ↑ «scienceandindustrymuseum. org. uk/objects-and-stories/baby-and-modern-computing 'Baby' and the birth of modern computing | Science and Industry Museum» (en en). Science and Industry Museum. Consultat el 2025-01-03.
- ↑ «org/Milestones:Manchester_University_%22Baby%22_Computer_and_its_Derivatives,_1948-1951 Milestones:Manchester University "Baby" Computer and its Derivatives, 1948-1951» (en és). ETHW. Consultat el 2025-01-03.
- ↑ «archive. org/web/20170927054553/http://www. datasheetarchive. com/pdf-datasheets/DataBooks/Book273-277. html Datasheet & Application Note Database, PDF, Circuits, Datasheets / Datasheet Archive». Archivat des d'el datasheetarchive. com/pdf-datasheets/DataBooks/Book273-277. html original, el 27 de setembre de 2017. Consultat el 1 d'abril de 2009.
- ↑ Tens que especificar títul = i url = al usar {{cita web}}.. ComScore. Consultat el 15 de decembre de 2025. «L'Inteligència Artificial Generativa requerix de molts recursos per a operar i també d'hardware que els fabricants inesperadament no tenien»
- ↑ «com/p/artículs/mi_m0HPJ/is_/ai_11405923 The HP Vectra 486 memory controller / Hewlett-Packard Journal /Find artículs at BNET». Consultat el 2009.
- ↑ «learncomputerscienceonline. com/random-access-memory/#google_vignette Random Access Memory | What Is RAM ? | Explained RAM Types» (en en). Learn Computer Science. Consultat el 2025-01-03.
- ↑ «techtarget. com/searchstorage/definition/RAM-random-access-memory What is RAM (random access memory)? | Definition from TechTarget» (en en). Search Storage. Consultat el 2025-01-03.
- ↑ «in/ram-full-form/ What Is RAM (Random Access Memory)? Types & How it Work?» (en en-gb). SimiTech. Consultat el 2025-01-03.
- ↑ «youbioit. com/es/artícul/shared-information/8714/como-funciona-la-memoria-de-una-computadora Cóm funciona la memòria d'una computadora».
- ↑ https://web. archive. org/web/20120310085510/http://download. micron. com/pdf/datasheets/modules/ddr2/HJ_S36C512_1Gx72.pdf
- ↑ «archive. org/web/20110215130608/http://www. theinquirer. net/inquirer/news/1014319/fb-dimm-dead-rddr3-king Copia archivada». Archivat des d'el theinquirer. net/inquirer/news/1014319/fb-dimm-dead-rddr3-king original, el 15 de febrer de 2011. Consultat el 11 de decembre de 2011.
- Este artícul conté una traducció derivada de «Memoria de acceso aleatorio» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.