Anex:Materials semiconductors

Grup IV

• Elements del grup IV.
• Semiconductors elementals:
  • • Diamant (C)
    • Silici (Si)
    • Germani (Ge)
  • Semiconductors composts:
    • Carbur de potassi (SiP)
    • Germani-alumini (GeAl)

Grups III i V

• Semiconductors en elements dels grups III i V
  • Aleacions dobles en alumini:
    • Antimoniuro: Antimoniuro d'alumini (AlSb)
    • Arseniuro:Arseniuro d'alumini (Ales)
    • Nitrur:Nitrur d'alumini (AlN)
    • Fosfuro: Fosfuro d'alumini (AlP)
  • En bor:
    • Nitrur de bor (BN)
    • Fosfuro de bor (BP)
    • Arseniuro de bor (BAs)
  • En gali:
    • Antimoniuro de gali (GaSb)
    • Arseniuro de gali (GaAs)
    • Nitrur de gali (GaN)
    • Fosfuro de gali (GaP)
• En indi:
  • • Antimoniuro d'indi (InSb)
    • Arseniuro d'indi (InAs)
    • Nitrur d'indi (InN)
    • Fosfuro d'indi (InP)

• Aleacions triples en elements dels grups III i V
  • Arseniuro de gali-alumini (AlGaAs, A el_xGa_1-xAs)
  • Arseniuro de gali-indi (InGaAs, In_xGa_1-xAs)
  • Fosfuro de gali-indi (InGaP)
  • Arseniuro d'indi-alumini (AlInAs)
  • Antimoniuro d'indi-alumini (AlInSb)
  • Nitrur de gali-arsènic (GaAsN)
  • Fosfuro de gali-arsènic (GaAsP)
  • Nitrur de gali-alumini (AlGaN)
  • Fosfuro de gali-alumini (AlGaP)
  • Nitrur de gali-indi (InGaN)
  • Antimoniuro d'indi-arsènic (InAsSb)
  • Antimoniuro de gali-indi (InGaSb)

• Aleacions cuádruples en elements dels grups III i V
  • Fosfuro d'alumini-gali-indi (AlGaInP, o InAlGaP, InGaAlP, AlInGaP)
  • Fosfuro d'alumini-gali-arsènic (AlGaAsP)
  • Fosfuro d'indi-gali-arsènic (InGaAsP)
  • Fosfuro d'alumini-indi-arsènic (AlInAsP)
  • Nitrur d'alumini-gali-arsènic (AlGaAsN)
  • Nitrur d'indi-gali-arsènic (InGaAsN)
  • Nitrur d'indi-alumini-arsènic (InAlAsN)

• Aleacions quíntuples en elements dels grups III i V
  • Antimoniuro de gali-indi-nitrogen-arsènic (GaInNAsSb)

Grups II i VI

• Semiconductors dels grups II i VI
  • Seleniuro de cadmi (CdSe)
  • Sulfur de cadmi (CdS)
  • Telururo de cadmi (CdTe)
  • Òxit de zinc (ZnO)
  • Seleniuro de zinc (ZnSe)
  • Sulfur de zinc (ZnS)
  • Telururo de zinc (ZnTe)

• Aleacions triples en elements dels grups II i VI
  • Telururo de cadmi-zinc (CdZnTe, CZT)
  • Telururo de mercuri-cadmi (HgCdTe)
  • Telururo de mercuri-zinc (HgZnTe)
  • Seleniuro de mercuri-zinc (HgZnSe)

Grups I i VII

• Semiconductors dels grups I i VII
  • Clorur de coure (CuCl)

Grups IV i VI

• Semiconductors dels grups IV i VI
  • Seleniuro de plom (PbSe)
  • Sulfur de plom (PbS)
  • Telururo de plom (PbTe)
  • Sulfur d'estany (SnS)
  • Telururo d'estany (SnTe)

• Aleacions triples en elements dels grups IV i VI
  • Telururo de plom-estany (PbSnTe)
  • Telururo de talio-plom (Tl₂SnTe₅)
  • Telururo de talio-germani (Tl₂GeTe₅)

Grups V i VI

• Semiconductors dels grups V i VI
  • Telururo de bismut (Bi₂Et₃)

Grup II-V

• Semiconductors dels grups II i V
  • Fosfuro de cadmi (Cd₃P₂)
  • Arseniuro de cadmi (Cd₃As₂)
  • Antimoniuro de cadmi (Cd₃Sb₂)
  • Fosfuro de zinc (Zn₃P₂)
  • Arseniuro de zinc (Zn₃As₂)
  • Antimoniuro de zinc (Zn₃Sb₂)

Semiconductors per capes

• Yodur d'estany (II) (SnI₂)
• Disulfuro de molibdeno (MoS₂)
• Seleniuro de gali (GaSe)
• Sulfur d'estany (SnS)
• Sulfur de bismut (Bi₂S₃)

• Seleniuro de coure-indi-gali (CIGS)
• Siliciuro de platí (PtSi)
• Yodur de bismut II (BiI₃)
• Yodur de mercuri II (HgI₂)
• Bromur de talio (TlBr)

• Òxits varis
  • Diòxit de titani: (anatase) (TiO₂)
  • Òxit de coure (I) (Cu₂O)
  • Òxit de coure (II) (CuO)
  • Diòxit d'urani (UO₂)
  • Trióxido d'urani (UO₃)

• Semiconductor orgànic o polímero semiconductor

• Semiconductors magnètics