Arseniuro d'alumini
El arseniuro d'alumini és un compost d'arsènic i alumini en casi la mateixa constant de ret del arseniuro de gali (GaAs) i arseniuro de gali-alumini (AlxGa1-xAs) i una banda prohibida més àmplia. Pot formar una superretícula en el Arseniuro de gali, convertint-se en semiconductor.[1]
Usos
[editar | editar còdic]Arseniuro d'alumini és un semiconductor de classe III-V. És amprat en la fabricació de dispositius com LEDs, encara que no té casi cap aplicació més. La preparació de cristals d'alta purea individuals, la reactivitat de l'alumini i l'inestabilitat dels cristals quan s'exponen a la humitat ambiental, provoquen que el seu us siga escàs en l'indústria de semiconductors.[2]
No obstant, existixen desenrolls en la seua aplicació en cèlules solars.[3]
Seguritat
[editar | editar còdic]El compost és estable en condicions normals i no ardix, no obstant, davant la reacció en àcit pot produir productes tòxics com l'arsina.
Els riscs sobre la salut humana no han segut lo suficientment investigats, per lo que no es dispon de senyes.
Referències
[editar | editar còdic]- ↑ Guo, L. Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters. Journal of Nanoparticle Research. Vol. 13 Issue 5 pg. 2029–2039. 2011
- ↑ Minden, H. T. Some Optical Properties of Aluminum Arsenide. Applied Physics Letters. Vol. 17, Issue 9. pg. 358–360. 1970
- ↑ Aplicacions de l'Energia Solar - Aden B. Meinel, Marjorie Pettit Meinel
- Este artícul conté una traducció derivada de «Arseniuro de aluminio» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.