Anar al contingut

Fosfuro d'alumini, gali i indi

De L'Enciclopèdia, la wikipedia en valencià

El fosfuro d'alumini, gali i indi (AlGaInP, també AlInGaP, InGaAlP, GaInP, etc.) és un material semiconductor que constituïx una plataforma per al desenroll de nous dispositius fotovoltaics i optoelectrònics multiunión, ya que comprén una banda prohibida directa des de l'ultravioleta profunt fins al infrarroig.[1]

El AlGaInP s'utilisa en la fabricació de diodos emissors de llum de color roig, taronja, verda i groc d'alta lluentor, per a formar l'heteroestructura emissora de llum. També s'utilisa per a fabricar làsers de diodo.

Formació

La capa de AlGaInP sol créixer per heteroepitaxia sobre arseniuro de galio o fosfuro de gali per a formar una estructura de pou quàntic. La heteroepitaxia és un tipo de epitaxia que es realisa en materials diferents entre sí. En la heteroepitaxia, una película cristalina creix sobre un substrat o película cristalina d'un material diferent.

Un eixemple de heteroepitaxia és el nitrur de gali (GaN) sobre safir.[2]

Propietats

El AlGaInP és un semiconductor, lo que significa que el seu banda de valència està completament plena. l'eV de la brecha de banda entre la banda de valència i la banda de conducció és lo suficientment chicotet com per a que puga emetre llum visible (1,7 eV - 3,1 eV). La brecha de banda del AlGaInP se situa entre 1,81 eV i 2 eV. Açò correspon a la llum roja, taronja o groga, i per això els LED fabricats en AlGaInP són d'eixos colors.[1]

Propietats òptiques
Índex de refracció 3.49
Dispersió refractiva -1,68 μm−1
Coeficient d'absorció 50536 cm−1


Referències

  1. ↑ 1,0 1,1 “Analysis of the systemic effect of ret and infrared laser therapy on wound repair” (2009). Photomed Laser Surg 27 (6): 929–35. doi:10.1089/pho.2008.2306. PMID 19708798.
  2. ↑ "Kinetics of Epitaxial Growth: Surface Diffusion and Nucleation. (n.d): 1-10 . Web.