Fosfuro d'indi
El fosfuro d'indi (InP) és un compost format per fòsfor i indi. És un material semiconductor similar al arseniuro de gali.
Propietats
El compost posseïx una estructura cristalina cúbica de cristals negres, llaugerament verts.
El InP té una banda prohibida directa, ademés d'una alta velocitat de deriva, major que les del silici o germani.[1]
Aplicacions
Les seues propietats de banda prohibida i alta velocitat electrònica ho fan adequat per a construir dispositius optoelectrònics d'alta velocitat com diodos laser, pero per dificultats en la seua utilisació, actualment solament s'utilisa com a substrat, per al arseniuro d'indi-gali, ya que el seu Estructura cristalina té el mateix tamany que este, 5,87 ángstroms[2]
Referències
- ↑ InP - Band structure and carrier concentration
- ↑ Indium phosphide semiconductors [1] archivat en Wayback Machine. Microwave Encyclopedia
- Este artícul conté una traducció derivada de «Fosfuro de indio» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.