Fosfuro d'indi
El fosfuro d'indi (InP) és un compost format per fòsfor i indi. És un material semiconductor similar al arseniuro de gali.
Propietats
[editar | editar còdic]El compost posseïx una estructura cristalina cúbica de cristals negres, llaugerament verts.
El InP té una banda prohibida directa, ademés d'una alta velocitat de deriva, major que les del silici o germani.[1]
Aplicacions
[editar | editar còdic]Les seues propietats de banda prohibida i alta velocitat electrònica ho fan adequat per a construir dispositius optoelectrònics d'alta velocitat com diodos laser, pero per dificultats en la seua utilisació, actualment solament s'utilisa com a substrat, per al arseniuro d'indi-gali, ya que el seu Estructura cristalina té el mateix tamany que este, 5,87 ángstroms[2]
Referències
[editar | editar còdic]- ↑ InP - Band structure and carrier concentration
- ↑ Indium phosphide semiconductors [1] archivat en Wayback Machine. Microwave Encyclopedia
- Este artícul conté una traducció derivada de «Fosfuro de indio» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.