L'Enciclopèdia, la wikipedia en valencià

Invenció del circuit integrat

L'idea d'integrar circuits electrònics en un sol dispositiu va nàixer quan el físic alemà i ingenier Werner Jacobi Erfinder va desenrollar i va patentar el primer amplificador de transistor integrat conegut en 1949 i l'ingenier britànic de ràdio Geoffrey Dummer va propondre l'integració d'una varietat de components electrònics estàndarts en un cristal monolític semiconductor en 1952. Un any despuix, Chadwick Johnson va fer una palesa per al prototip d'un circuit integrat (CI).

Tals idees no varen poder ser implementades en l'indústria de 1950, pero una troballa va ocórrer en els últims anys d'eixa década. En 1958, 3 persones de 3 companyies dels Estats Units varen resoldre 3 problemes fonamentals que impedien la producció de circuits integrats. Jack Kilby de Texas Instruments va patentar el principi d'integració, va crear el primer prototip de CI i els va comercialisar. Kurt Lehovec de Sprague Electric Company va inventar una manera d'aïllar eléctricament els components en un cristal semiconductor. Robert Noyce de Fairchild Semiconductor va inventar una manera de conectar els components d'un CI (metalizaació d'alumini) i va propondre una versió millorada de l'aïllament basada en la tecnologia planar de Jean Hoerni. El 27 de setembre de 1960, usant les idees de Noyce i Hoerni, un grup de Jay Last en Fairchild Semiconductor va crear el primer CI semiconductor operacional. Texas Instruments, que havia mantingut la palesa per a l'invenció de Kilby, va començar una guerra de paleses, que va ser solucionada en 1966 per mig de l'acort d'una llicència creuada. No hi ha consens sobre qui va inventar el CI. La prensa Americana de 1960 va nomenar a 4 persones: Kilby, Lehovec, Noyce i Hoerni; en 1970 la llista va ser acurtada a Kilby i Noyce, i despuix a Kilby, qui va ser honrat en el 2000 en el Premi Nobel de Física “per la seua participació en l'invenció del circuit integrat”. En els 2000, els historiadors Leslie Berlin,[notes 1] Bo Lojek[notes 2] i Arjun Saxena[notes 3] reinstauraron l'idea de múltiples inventors de el CI i varen revisar la contribució de Kilby.

Prerrequisitos

editar

Esperant una troballa

editar
 
Canviant tubos de buit en la computadora ENIAC.

Durant i despuix de la Segona Guerra Mundial, un fenomen anomenat “La tirania de números” havia segut notada, és dir, alguns dispositius computacionals varen aplegar a un complexitat en la que les pèrdues de les falles i el temps en inactivitat del sistema varen excedir els beneficis esperats.[1] Cada Boeing B-29 (lloc en servici en 1944) carregava en 300–1000 tubos de buit i decenes de mils de components passius.[notes 4] El número de tubos de buit havia aplegat als mills en computadores alvançades com l'ENIAC (1946).[notes 5] Cada component adicional reduïa la fiabilitat del dispositiu i aumentava el temps de resolució de fallos.[1] L'electrònica tradicional va alcançar un top en el que més desenroll de dispositius electrònics requeria un número reduït de components.

L'invenció del transistor en 1948 va dur a les expectatives d'una nova revolució tecnològica. Els escritors de ficció i columnista profetizaron l'imminent arribada de “màquines inteligents” i la robotizaació de tots els aspectes de la vida.[2]

Si ben els transistors varen reduir el tamany i el consum d'energia, no varen poder resoldre el problema de fiabilitat en dispositius electrònics complexos. De fet, l'alta densitat de components en un espai chicotet impedia la seua reparació[1] Encara que la fiabilitat dels components discrets s'havia dut al llímit teòric en 1950, no hi havia encara una millora en les conexions dels components.

L'idea de l'integració

editar

Desenrolls primerencs de el CI daten des de 1949, quan l'ingenier Alemà Werner Jacobi (Siemens AG)[3] va demanar la palesa per a un dispositiu amplificador semiconductor similar a un circuit integrat mostrant cinc transistors en substrat comú en un apany d'amplificador de tres etapes en dos transistors treballant “al revés” com conversor d'impedència. Jacobi va revelar audífons per a sorts chicotets i barats com a aplicacions industrials del seu palés. No s'ha reportat un us comercial immediat del seu palés.

El 7 de maig de 1952, l'ingenier de radi britànic Geoffrey Dummer va formular l'idea de l'integració en un event públic en Washington:

En l'arribada del transistor i el treball general en semiconductors, sembla que ara és possible proveir l'equip electrònic en un bloc sòlit, sense cables. El bloc pot consistir en capes de materials aïllants, conductors i rectificadores, a on les funcions elèctriques es donaran tallant parts de les distintes capes.[4]
Erro al crear miniatura:
Generador integrat de Johnson (1953).

Temps despuix, Dummer es va tornar conegut com “el profeta dels circuits integrats”, pero no com el seu inventor. En 1956 va produir un prototip de CI, pero el seu treball va ser cridat impráctico pel ministre de Defensa del Regne Unit, per l'alt cost i paràmetros inferiors de el CI en comparació als dispositius discrets.

En octubre de 1952 en E.U., Bernard Oliver va omplir un format per a una aplicació a palesa d'un método per a fabricar tres transistors planars eléctricament conectats en un cristal semiconductor.[5] El 21 de maig de 1953 Harwick Johnson va omplir un format d'aplicació a palesa d'un método per a formar varis components electrònics – transistors, resistències i capacitancias distribuïdes en un sol chip. Johnson va descriure 3 maneres de produir un oscilador integrat d'un sol transistor; totes elles usaven una llínea prima d'un semiconductor en un transistor bipolar d'un costat i es diferenciaven en els métodos de produir el transistor. La llínea actuava com a resistència en série, els capacitores varen ser formats per fusió, mentres que les unions p-n inversament polarisades actuaven com capacitadores distribuïts. Johnson no va oferir un procediment tecnològic i no se sap si va produir algun dispositiu. En 1959, una variant de la seua proposta va ser implementada i patentada per Jack Kilby.[5]

Electrònica Funcional

editar

Les companyies líders d'electrònica en E.U.A. Bell Labs. IBM, RCA i General Electric varen buscar una solució a la “tirania dels números” en el desenroll de components discrets que implementaren una funció donada en un mínim d'elements passius.[6] Durant l'era dels tubos de buit, tal abordage va permetre la reducció del cost d'un circuit a costeres de la seua freqüència d'operació. Per eixemple, una cela de memòria de 1940 consistia de dos triodos i una dotzena de components passius que corrien a una freqüència de fins a 200 kHz. Una resposta en l'orde dels MHz va poder ser conseguida en 2 pentodos i 6 diodos per cela. Esta cela va poder ser reemplaçada per un thyratron en una resistència de càrrega i un capacitor d'entrada, pero la freqüència de tal circuit no excedia els pocs kHz.


En 1952, Jewell James Ebers de Bell Labs va desenrollar un prototip anàlec d'estat sòlit d'un thyratron – o un transistor de 4 capes, o tiristor.[7] William Shockley va simplificar el seu disseny en un “diodo de 4 capes” i dos terminals (Diodo Schockley) i va intentar la seua producció industrial.[8] Schockley esperava que el nou dispositiu reemplaçara el relevador polarisat en l'intercanvi telefònic;[9] no obstant la fiabilitat dels diodos Schockley era inacceptablement baixa, i la seua companyia va entrar en decliu. Al mateix temps, treballs en els circuits de thyristor varen ser realisats en Bell Labs, IBM i RCA Ian Munro Ross i David D'Azaro (Bell Labs) varen experimentar en les celes de memòria basades en transistors.[10] Joe Logue i Rick Dill (IBM) treballaven en contadors usant transistors monouniones. Torkel Wallmark i Harwick Johnson (RCA) varen usar els tiristors i transistors d'efecte de camp. Els treballs de 1955 a 1958 que varen utilisar els transistors de germani no varen donar fruts. Solament en l'estiu de 1959, en acabant de que les invencions de Kilby, Lehovec i Hoerni es tornaren públiques, D’Azaro va reportar un registre de corriment operacional basat en transistors de silici. L'àrea de cada transistor era de 0.2 a 0.4 mm², en una gruixa d'aproximadament 0.1 mm.[10] Des del punt de vista dels seguidors de l'electrònica funcional i l'era del semiconductor, el seu abordage els va permetre eludir problemes fonamentals en la tecnologia del semiconductor.[10] Els errors de Schockley, Ross i Wallmarck varen provar la falàcia d'esta tècnica: la producció en massa de dispositius funcionals es va vore retardada per les barreres tecnològiques.

Tecnologia del Silici

editar
Erro al crear miniatura:
Comparació de les tecnologies taula (esquerra) i planar (Hoerni, dreta) . Les dimensions són mostrades esquemáticamente.

Els primers transistors varen ser fets de germani. A mitan de 1950 va ser reemplaçat per silici, el qual permetia l'operació a altes temperatures. En 1954, Gordon Teal de Texas Instruments va produir el primer transistor de silici, comercialisat en 1955. També en 1954, Fuller i Dittsenberger varen publicar un estudi fonamental en la difusió del silici i Shockley va sugerir l'us de tecnologia per a formar unions p-n en un grau donat d'impurea en la concentració.[11] En 1955 Carl Frosch de Bell Labs va desenrollar l'oxidació humida del silici, la qual es realisa en vapor d'aigua a una temperatura de 900 °C a 1000 °C. En els dos següents anys, Frosh, Moll Fuller i Holonyak varen dur este procés a producció en massa.[12] Este descobriment va revelar la segona ventaja fonamental del silici sobre el germani: a diferència dels òxits de germani, el silici “humit” és físicament fort i un aïllant elèctric químicament inerte.


El primer de decembre de 1957, Jean Hoerni va propondre una tecnologia planar de transistors bipolars. En este procés, l'unions P-N eren cobertes per una capa protectora, que deuria significativament millorar la seua fiabilitat. No obstant en 1957, esta proposta va ser considerada tècnicament impossible. La formació d'emissors d'un transistor NPN requeria la difusió del fòsfor i el treball de Frosch sugeria que el SiO2 no bloquejava tal difusió.[13] En març de 1959, Chi-Tang Sah, un excolega de Hoerni, li va mostrar a ell i a Noyce un error en les conclusions de Frosch. Frosch va usar capes d'òxit massa primes, mentres que els experiments de 1957-1858 varen mostrar que una capa grossa d'òxit pot detindre la difusió del fòsfor.[14] Armat en este coneiximent, el 12 de març de 1959 Hoerni va fer el primer prototip d'un transistor planar;[15] i el primer de maig de 1959 va emetre una aplicació de palesa per a l'invenció un procés planar.[13] En abril de 1960, Fairchild va llançar el transistor planar 2N1613, i en octubre de 1960 va abandonar per complet la tecnologia del transistor taula.[16] A mitan de 1960, el procés planar s'havia convertit en la tecnologia principal per a produir transistors i circuits integrats monolítics.

Tres problemes de la Microelectrónica

editar

La creació de el CI va ser detinguda per 3 problemes fonamentals, els quals varen ser formulats per Wallmark en 1958:[17]

  1. Integració: en 1958 no hi havia manera de formar varis components electrònics diferents en un cristal semiconductor. L'aleació no era apta per a el CI i l'última tecnologia taula tenia sérios problemes de fiabilitat.
  2. Aïllament: no existia tecnologia per a aïllar eléctricament components en un cristal semiconductor.
  3. Conexió: no hi havia manera efectiva de crear conexions elèctriques entre els components d'un CI, llevat usant cables d'or, conexió extremadament cara i consumidora.

Va succeir que tres diferents companyies tenien les paleses clau per a cada u d'estos problemes. Sprague Electric Company va decidir no desenrollar els CIs, Texas Instruments es llimitava a un set de tecnologies incompletes i solament Fairchild Semiconductor va combinar les tècniques requerides per a la producció comercial de CIs monolítics.

Integració de Jack Kilby

editar

Invenció de Kilby

editar

En maig de 1958, Jack Kilby, un experimentat ingenier de radi i veterà de la Segona Guerra Mundial, va escomençar a treballar en Texas Instruments.[18][19][20] A l'inici no tenia tasques específiques i va tindre que trobar-se en un tema en la direcció general de “miniaturisació”.[19] Tenia l'oportunitat de trobar una direcció d'investigació radicalment nova o inmiscuir en un proyecte multimillonari en la producció de circuits militars.[18] L'estiu de 1958 Kilby va formular els tres punts de l'integració:

  1. L'única cosa que una companyia de semiconductors pot produir exitosament és un semiconductor.
  2. Tots els elements d'un circuit, incloent les resistències i capacitores poden ser fets en semiconductors.
  3. Tots els components d'un circuit poden ser fets en un cristal semiconductor, afegint solament les interconexions.
Erro al crear miniatura:
Comparació dels osciladors de Johnson (en un transistor aleado, dimensions 10mm x 1.6 mm) i el de KIlby (en transistor taula).

El 28 d'agost de 1958, Kilby ensambló el primer prototip de CI usant components discrets i va rebre l'aprovació per a implementar-ho en un chip. Ell tenia accés a tecnologies que li varen permetre fer transistors taula, diodos taula i capacitores basats en unió p-n en un chip de germani (pero no de silicón) i el restant del material del chip que podia ser usat com a resistències.[18] El chip estàndar de Texas Instruments per a la producció de 25 (5*5) transistors taula era de 10×10 mm en tamany. Kilby ho va minimisar en 5 rencs de transistors de 10×1.6 mm, pero despuix solament va usar dos d'elles.[21][22] El 12 de setembre, va presentar el primer prototip de CI,[18] el qual era un oscilador d'un sol transistor en retroalimentaació RC distribuïda; repetint l'idea i el circuit presentat en la palesa de 1953 de Johnson.[4] El 19 de setembre, va fer el segon prototip, un disparador de dos transistors.[23] Ell va descriure els CIs fent referència la palesa de Johnson; entre febrer i maig de 1959 Kilby va omplir una série d'aplicacions.

Segons Arjun Saxena, la data d'aplicació per a la palesa principal 3,138,743 és incerta: si be la palesa i el llibre de Kilby la posen el 6 de febrer de 1959,[24] no va poder ser confirmat pels archius de les aplicacions en l'oficina federal de paleses. El va sugerir que l'aplicació inicial es va omplir en febrer 6 i es va perdre, despuix la re-sumissió va ser rebuda per l'oficina de paleses el 6 de maig de 1959, el mateix dia en que es tenen registrats les paleses 3,072,832 and 3,138,744.[25]. De qualsevol modo, Texas Instruments va introduir les invencions de Kilby al públic el 6 de març de 1959.[26] Cap de tals paleses va resoldre per complet el problema del rebuge i l'interconexió – els components eren separats fent corts en el chip i unint en cables d'or.[21] Per lo tant tals CIs eren del tipo híbrit en lloc del tipo monolític.[27] No obstant, Kilby va demostrar que varis elements dels circuits, els elements actius, resistivos, capacitivos i inclús chicotetes inductància podien ser fetes en un sol chip.[21]

Intent de comercialisació

editar
Erro al crear miniatura:
Topología del multivibrador de dos cristals IC TI 502. La numeració correspon a Archiu:TI 502 schematic.png. Cada cristal és de 5 mm de llongitut.[28] No a escala.

En autumne de 1958, Texas Instruments va introduir l'idea encara no patentada de Kilby als clients militars.[18] Encara que la majoria de les divisions varen rebujar l'idea al vore-l'inacceptable conforme els conceptes existents, la U.S. Air Force va decidir que tal tecnologia anava de la mà en el programa d'electrònica molecular,[18] i va ordenar la producció de CIs prototips, als que Kilby va cridar “blocs electrònics funcionals”.[29] Westinghouse va afegir epitafi a la tecnologia de Texas Instruments i va rebre una orde separada de l'eixèrcit de EE. UU. en giner de 1960.[30]

En octubre de 1961, Texas Instruments va construir per a la Força Aérea una demostració de la “computadora molecular” en 300 bit de memòria basada en el CI # de Kilby.[31] Harvey Kreygon empacó tal computadora en un volum d'al voltant de 100 cm³.[31] En decembre de 1961, la Força Aérea va acceptar el primer dispositiu analògic creat dins del programa d'electrònica molecular – un receptor de ràdio.[30] Usava CIs costosos, els quals tenien al voltant de 10 a 12 components i un alt percentage de dispositius fallancs. Açò va generar l'idea de que els CIs sol eren justificables per a aplicacions aeroespacials[32]; no obstant l'indústria aeroespacial va rebujar tals CIs per la baixa resistència a la radiació dels seus transistors taula.[29]


En abril de 1960, Texas Instruments va anunciar el multivibrador # com el primer circuit integrat disponible en el mercat. La companyia va assegurar que al contrari dels seus competidors, ells sí venien el producte, el qual tenia un preu $450 USD per unitat o $300 USD per a cantitats majors a 100 unitats.[29] No obstant, les vendes varen començar fins a l'estiu de 1961 i el preu era major a l'anunciat.[33] The #502 schematic contenia dos transistors, 4 diodos, 6 resistències i 2 capacitores i repetia la circuitería tradicional discreta.[34] El dispositiu contenia dos rencs de 5 mm de llongitut dins d'un contenidor de ceràmica i metal;[34] un renc contenia capacitores d'entrada; l'atra acomodava transistors taula i diodos i el seu cos era usat com 6 resistències, usava arams d'or com a interconexions.[35]

Aïllament per unió p-n

editar

Solució de Kurt Lehovec

editar

A finals de 1958, Kurt Lehovec, un científic treballant en la Sprague Electric Company, va atendre a un seminari en Princeton a on Wallmark enlistó la seua visió sobre els problemes fonamentals de la microelectrónica. De tornada a Massachusetts, Lehovec va trobar una solució senzilla al problema de l'asolaació la qual usava l'unió p-n:[36]

És ben sabut que l'unió p-n té alta impedència a la corrent elèctrica, particularment si està polarisada en l'anomenada direcció de bloqueig o sense polarisació aplicada. Per lo tant qualsevol grau desijat d'aïllant elèctric entre 2 components ensamblados en la mateixa rebanada pot ser conseguit si es té un número suficientment gran d'unions p-n en série entre dos regions de semiconductancia, en els que tals components són ensamblados. Per a la majoria dels circuits, d'una a tres unions p-n seran suficients…
Erro al crear miniatura:
Mostra d'un amplificador de tres etapes (tres transistors i 4 resistències) de la Patent dels Estats Units 3029366. Àrees blaves: conductivitat tipo n, roig: tipo p , llongitut 2.2mm, gruixa: 0.1mm

Lehovec va provar la seua idea usant la tecnologia per a fer transistors que estaven disponibles en Sprague. El seu dispositiu era una estructura linear de 2.2×0.5×0.1 mm, la qual estava dividida en celes tipo n rebujades (bases de futurs transistors) per unions p-n. Les capes i transistors varen ser fetes pel método de creiximent des de metal derretido. El tipo de conductivitat era determinat per la velocitat de jale del cristal: una capa tipo p rica en indi era formada a velocitats baixes, mentres que una capa tipo n rica en arsènic era feta a velocitats altes. Els colectors i emissors dels transistors eren creats per mig del forjamiento de contes d'indi. Totes les unions elèctriques eren fetes a mà, usant cables d'or.

L'administració en Sprague no va mostrar desijos en l'invenció de Lehovec, aixina i tot el 22 d'abril de 1959, va omplir una aplicació a palesa en els seus propis diners i va deixar EE. UU. per dos anys. Per tal rompimiento, Gordon Moore va concloure que Lehovec no deuria ser considerat com un dels inventors de el CI.

Solució de Robert Noyce

editar

El 14 de giner de 1959, Jean Hoerni va introduir el seu més nova versió del procés planar a Robert Noyce i a l'advocat de palesos John Rallza en Fairchild Semiconductor.[37][38] Un memo de tal event per part de Hoerni va ser la base d'una aplicació de palesa per a l'invenció del procés planar, omplida en maig de 1959 i implementada en Estats Units com "el procés planar" i "el transistor planar".[39] El 20 de giner de 1959, els directius de Fairchild es varen reunir en Edward Keonjian, un desenrollador de la computadora a bordo de l'eixida “Atles”, per a discutir el desenroll en conjunt de CIs digitals híbrits per a la seua computadora.[40] Tals events provablement varen dur a Robert Noyce a retornar a l'idea de l'integració.[41]


El 23 de giner de 1959, Noyce va documentar la seua visió de la circuitería integrada planar, essencialment re-inventant les idees de Kilby i Lehovec en la base del procés planar de Hoerni.[42] Noyce va declarar en 1976 que en giner de 1959 ell no sabia del treball de Lehovec. Com a eixemple, Noyce va descriure un integrador que va discutir en Keonjian.[42][43] Els transistors, diodos i resistència de tal dispositiu hipotètic estaven aïllats un de l'atre per unions p-n, pero en una manera diferent a la solució de Lehovec. Noyce va considerar el procés de fabricació de el CI de la següent manera: deu escomençar en una capa de silicón pacificado en òxit que siga altament resistida. El primer pas de la fotolitografía apunta a obrir finestres corresponents als dispositius planejats i difuminar les impurees per a crear “murs” de baixa resistència a través de lo ample de el CI. Despuix, els dispositius planars tradicionals són formats dins de tals murs. Contrari a la solució de Lehovec, esta tècnica permetia la creació d'estructures bidimensionales en, potencialment, un número illimitat de dispositius en un chip.

Despuix de formular la seua idea, Noyce la resguarde per varis mesos per menesters de la companyia i va retornar a ella fins a març de 1959.[44] Li prenc 6 mesos el preparar l'aplicació de palesa, la qual va ser rebujada per l'oficina de paleses de EE. UU. degut a que ya havia rebut l'aplicació de Lehovec.[45]

L'invenció de la metalizaació

editar

A principis de 1959, Noyce va resoldre un atre problema important, el problema de les interconexions que impedia la producció en massa dels CIs.[46] D'acort als seus colegues dels “huit traicioneros” la seua idea era evident: al pacificar la capa d'òxit s'obté una barrera natural entre el chip i la capa de mecanisació.[47] D'acort en Turner Hasty, Noyce planege fer les paleses microelectrónicas de Fairchild accessibles a un ampli ranc de companyies, similar a Bell Labs que en 1951 i 1952 varen lliberar les seues tecnologies del transistor.

Noyce va presentar la seua aplicació el 30 de juliol de 1959 i el 25 d'abril de 1961 i va rebre la palesa 2981877. L'invenció consistia en la preservació de la capa d'òxit, que separa la capa de mecanisació del chip (llevat per les àrees de contacte), i en el depòsit de la capa de metal de tal manera que estiguera fermament unida a la d'òxit. El método de depòsit no era encara conegut, les propostes de Noyce incloïen: el depòsit d'alumini al buit a través d'una caraça, el depòsit d'una capa contínua seguida de per fotolitografía i el remordiment del metal en excés. Segons Saxena, la palesa de Noyce, encara en totes les seues inconveniencias, reflectix precisament els fonaments de les tecnologies de el CI modern.[48]

En el seu palés, Kilby també menciona l'us de la capa de metalizaació. No obstant, Kilby va favorir l'us de capes amples de diferents metals (alumini, coure o or) i monòxit de silici en lloc del diòxit. Estes idees no varen ser preses en la producció de CIs.[49]

Primers CIs

editar
Erro al crear miniatura:
CI NOR llògic, de la computadora que controlava la Nau Apolo

En agost de 1959, Noyce va formar en Fairchild un grup de desenroll de CIs.[50] EL 26 de maig de 1960, tal grup liderat per Jay Last va produir el primer circuit integrat planar. El prototip no era monolític, sino que dos parells dels seus transistors eren rebujats fent corts en el chip, lo que ser en la palesa de Last.[51] Les etapes de producció inicial varen repetir el procés planar de Hoerni; posteriorment el cristal en ample de 80-micrones era pegat, boca avall, al substrat de vidre, i la fotolitografía adicional era duta en la part posterior de la superfície. Un gravat profunt creava un canal fins a la superfície frontal. Despuix la part posterior era coberta en resina de epoxy, i el chip era separat del substrat de vidre.


En agost de 1960, Lust va començar a treballar en el segon prototip utilisant l'aïllament per unió p-n propost per Noyce. Rober Norman va desenrollar un circuit de dispar en 4 transistors i 5 resistències, mentres que Isy Haas i Lionel Kattner varen desenrollar el procés de difusió de bor per a formar les regions aïllants. El primer dispositiu funcional va ser provat el 27 de setembre de 1960 – est va ser el primer circuit integrat planar i monolític. Fairchild Semiconductor no va prevore l'importància de tal treball, el vicepresident de màrqueting va creure que Last estava gastant injustificadament els recursos de la companyia i que el proyecte devia ser cancelat.[52] En giner de 1961, Last, Hoerni i els seus colegues dels “huit traicioneros” Kleiner i Roberts varen deixar Fairchild i varen anar a Amelco. David Allison, Lionel Kattner i uns atres varen deixar Fairchild per a establir un competidor directe, Signetics.[53] A pesar de la renúncia dels seus científics i ingeniers líders, Fairchild va anunciar en març de 1961 la seua primera série de CIs comercials, cridats “Micrologic”, i despuix va passar l'any creant una família de CIs llògics. Per a eixe llavors, distints CIs ya eren produïts pels seus competidors. Texas Instruments va abandonar els dissenys de CI de Kilby i va rebre un contracte per una série de CIs planars per a satèlits espacials i posteriorment per a missils balístics. LGM-30 Minuteman. Mentres que els CIs per a la computadora a bordo de l'aeronau “Apollo” eren dissenyats per Fairchild, la majoria eren produïts per Raytheon i Philco Ford.[54] Cada computadors “Apollo” contenia al voltant de 5000 CIs llògics[54] i durant la seua manufactura, el preu d'un CI baix dels 1 000 $ USD a 20-30 $ USD . D'esta manera la NASA i el Pentágono varen preparar el camp per al mercat de CI d'aplicació no militar.[55] La llògica basada en resistències i transistors dels primers CIs de Fairchild i Texas Instruments era vulnerable a l interferència electromagnètica, i per lo tant en 1964 abdós companyies ho varen reemplaçar per la llògica basada en diodos i transistors. Signetics va llançar la família basada en diodos i transistors anomenada Utilogic en 1962, pero va fallar davant Fairchild i Texas Instruments en l'expansió del producte. Fairchild va ser el líder en número de CIs venuts entre 1961 i 1965, pero Texas Instruments anava a la davantera en guanys: 32% del mercat de el CI en 1964 comparat en 18% de Fairchild. Els CIs llògics abans mencionats eren construïts en components estàndars, en tamanys i configuracions definits pel procés tecnològic, i tots els diodos i transistors d'un CI eren del mateix tipo.[56] L'us de diferents tipos de transistors va ser propost per primera volta per Tom Long en Sylvania entre 1961 i 1962. A finals de 1952, Sylvania va llançar la primera família de CIs llògics transistor-transistor (TTL), els quals es varen convertir en un èxit comercial.[57] Bob Widlar de Fairchild va fer un alvanç similar entre 1964 i 1965 en els CIs anàlecs (amplificadors operacionals).[58]

Notes

editar

Referències

editar
  1. ↑ 1,0 1,1 1,2 Kaplan, 2010, p. 78.
  2. ↑ Kaplan, 2010, p. 77.
  3. ↑ «Integrated circuits help Invention». Integratedcircuithelp.com. Archivat des d'el original, el 11 d'octubre de 2012. Consultat el 13 d'agost de 2012.
  4. ↑ 4,0 4,1 Lojek, 2007, pp. 2–3.
  5. ↑ 5,0 5,1 Lojek, 2007, p. 3.
  6. ↑ Brock, 2010, p. 36.
  7. ↑ Hubner, 1998, p. 100.
  8. ↑ Hubner, 1998, pp. 99–109.
  9. ↑ Hubner, 1998, p. 107.
  10. ↑ 10,0 10,1 10,2 Brock, 2010, pp. 36–37.
  11. ↑ Lojek, 2007, pp. 52,54.
  12. ↑ Lojek, 2007, p. 82.
  13. ↑ 13,0 13,1 Saxena, 2009, pp. 100–101.
  14. ↑ Saxena, 2009, p. 100.
  15. ↑ Brock, 2010, pp. 30–31.
  16. ↑ Lojek, 2007, p. 126.
  17. ↑ Lojek, 2007, pp. 200–201.
  18. ↑ 18,0 18,1 18,2 18,3 18,4 18,5 Kilby, 1976, p. 650.
  19. ↑ 19,0 19,1 Lojek, 2007, p. 188.
  20. ↑ Ceruzzi, 2003, pp. 182–183.
  21. ↑ 21,0 21,1 21,2 Lojek, 2007, p. 191.
  22. ↑ Ceruzzi, 2003, p. 183.
  23. ↑ Kilby, 1976, pp. 650–651.
  24. ↑ Kilby, 1976, p. 651.
  25. ↑ Saxena, 2009, pp. 82–83.
  26. ↑ Kilby, 1976, p. 652.
  27. ↑ Saxena, 2009, pp. 59–67.
  28. ↑ Lojek, 2007, p. 237-238.
  29. ↑ 29,0 29,1 29,2 Lojek, 2007, p. 235.
  30. ↑ 30,0 30,1 Lojek, 2007, p. 230.
  31. ↑ 31,0 31,1 Lojek, 2007, pp. 192–193.
  32. ↑ Lojek, 2007, p. 231.
  33. ↑ Lojek, 2007, p. 236.
  34. ↑ 34,0 34,1 Lojek, 2007, p. 237.
  35. ↑ Lojek, 2007, p. 238.
  36. ↑ Lojek, 2007, p. 201.
  37. ↑ Berlin, 2005, pp. 103–104.
  38. ↑ Brock, 2010, pp. 141–147.
  39. ↑ Brock, 2010, pp. 144–145.
  40. ↑ Brock, 2010, pp. 157, 166–167.
  41. ↑ Brock, 2010, p. 157.
  42. ↑ 42,0 42,1 Brock, 2010, p. 158.
  43. ↑ Berlin, 2005, p. 104.
  44. ↑ Berlin, 2005, p. 104-105.
  45. ↑ Brock, 2010, p. 39, 160–161.
  46. ↑ Saxena, 2009, pp. 135-136.
  47. ↑ Berlin, 2005, p. 105.
  48. ↑ Saxena, 2009, pp. 237.
  49. ↑ Saxena, 2009, pp. 139, 165.
  50. ↑ Berlin, 2005, p. 111.
  51. ↑ Berlin, 2005, p. 111-112.
  52. ↑ Lojek, 2007, pp. 133,138.
  53. ↑ Lojek, 2007, pp. 180–181.
  54. ↑ 54,0 54,1 Ceruzzi, 2003, p. 188.
  55. ↑ Ceruzzi, 2003, p. 189.
  56. ↑ Lojek, 2011, p. 210.
  57. ↑ Lojek, 2007, p. 211.
  58. ↑ Lojek, 2007, pp. 260–263.

Bibliografia

editar



Erro en la cita: Existixen etiquetes <ref> per a un grup nomenat "notes", pero no es trobà una etiqueta <references group="notes"/>

Obtingut de «https://lenciclopedia.org/w/index.php?title=Invenció_del_circuit_integrat&oldid=1150290»