Memòria de núcleus magnètics

Erro al crear miniatura:

Memòria de núcleus magnètics

La memòria de núcleus magnètics, memòria de ferrita o memòria de bous va ser una forma de memòria principal dels computadors, fins a començos de 1970. La funció d'esta memòria era similar a la que realisa la memòria RAM en l'actualitat: és l'espai de treball, per a la CPU, a on es graven els resultats immediats de les operacions que es van realisant. A diferència de la RAM basada en tecnologies DRAM, es basa en les propietats magnètiques del seu component actiu, el núcleu de ferrita i era una memòria no volàtil.

Història

Despuix de desplaçar a atres tecnologies d'almagasenament, la memòria de bous va dominar l'indústria informàtica durant els anys 1950 i 1960. Es va usar de manera extensa en computadores i atres dispositius electrònics, com les calculadores. Intel es va crear en l'idea de convertir la memòria d'estat sòlit en la memòria dominant en l'indústria dels computadors. En 1971 Intel va conseguir posicionar una memòria tipo DRAM com un dispositiu de bones prestacions i relatiu baix preu, va copar els mercats de la memòria de núcleus i la va relegar al passat.

Tecnologia

Erro al crear miniatura:

Matriu de bous de NCR

El mecanisme de memòria es basa en l'histéresis de la ferrita. Els bous de ferrita es disponen en una matriu de modo que queden travessades per dos fils, X i I, que discorren segons les files i columnes. Per a escriure un bit en la memòria s'envia un pols simultàneament per les llínees X_i i I_j corresponents. El bou situat en la posició (i, j) es magnetizará en el sentit donat pels polsos. Els demés bous, tant de la fila com de la columna, no varien la seua magnetisació ya que només reben un pols (X o I), el camp magnètic del qual és insuficient per a véncer l'histéresis del bou. La senya es llig per mig d'un nou fil Z, que recorre tots els bous de la matriu. Escrivim un zero pel método descrit anteriorment, després només el bou (i, j) pot canviar d'estat. Si conté un zero, no canvia, després en la llínea Z no es té senyal; pero si el bou té un un, passa a valdre zero, el seu sentit de magnetisació canvia i induïx un pols en la llínea Z, que es llegirà com "un".

Com es veu, el procés descrit destruïx la senya que es llig, després en les memòries de bous és necessari reescriure la senya despuix de llegir-ho.

Una memòria en un tamany de paraula de n bits, posem 16 bits, necessita 16 matrius com la descrita, en 16 llínees Z, una per bit.