Método vapor-líquit-sòlit

Erro al crear miniatura:

Figura 1: ilustració Esquemàtica del nanohilo de Si (whisker) creixent a partir de la reacció de SiCl4 i H2 en fase vapor. Esta reacció és catalizada per la gota d'or i silici depositada en la superfície de la oblea en anterioritat al creiximent del nanohilo.

El método vapor-líquit-sòlit (VLS) és un mecanisme per al creiximent d'estructures unidimensionals, com nanohilos, a través de diferents métodos, com la deposición química de vapor. El creiximent d'un cristal a través d'adsorció directa d'una fase gas a una superfície sòlida és generalment molt llenta. El mecanisme VLS soluciona este problema introduint una aleació líquida catalizadora que pot ràpidament adsorber un vapor en nivells de sobresaturación, i en on el creiximent del cristal pot succeir a partir de la nucleación d'embrions en l'interfaç líquit–sòlit. Les característiques físiques de nanohilos formats d'esta manera depén, d'una forma controlable, del tamany i propietats físiques de l'aleació líquida.

Història

Erro al crear miniatura:

Figura 2: Creiximent de nanohilos de Si utilisant partícules catalizadoras de Au per CVD

El mecanisme VLS va ser propost en 1964 per a explicar el creiximent de nanohilos de silici des de la fase gas en presència d'una gota d'or líquida colocada sobre un substrat de silici.^[1] L'explicació va estar motivada per l'absència de recalcada axials helicoidals en el nanohilo, la necessitat de la gota d'or per al creiximent, i la presència de la gota en l'extrem del nanohilo durant tot el procés de creiximent.

Erro al crear miniatura:

Figura 3: ilustració Esquemàtica del creiximent del nanohilo baix una gota catalizadora d'aleació metàlica.

Introducció

Típicament, el mecanisme VLS es descriu en tres etapes:^[2]

Preparació d'una gota d'aleació líquida sobre el substrat a on creixerà el nanohilo.
Introducció de la substància en forma vapor, la qual es adsorbe a la superfície líquida, i es difon cap a la gota.
Sobresaturación i nucleación en l'interfaç líquit-sòlit, provocant un creiximent axial del cristal.

Referències

↑ (1964).«Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth».Appl. Phys. Lett..4(5)
89.doi:10.1063/1.1753975.
↑ Lu, Yicheng; Zhong, Jian, {{{nom2}}} (2004). Todd Steiner (ed.). Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications, Norwood, MA: Artech House, Inc., pp. 191–192. ISBN 978-1-58053-751-3.

Este artícul conté una traducció derivada de «Método vapor-líquido-sólido» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.

[1] (1964).«Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth».Appl. Phys. Lett..4(5)
89.doi:10.1063/1.1753975.

[2] Lu, Yicheng; Zhong, Jian, {{{nom2}}} (2004). Todd Steiner (ed.). Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Applications, Norwood, MA: Artech House, Inc., pp. 191–192. ISBN 978-1-58053-751-3.

[1]

[2]