Magnetorresistencia
La magnetorresistencia és una propietat que tenen certs materials de variar el seu resistència elèctrica quan són somesos a un camp magnètic.[1]
Este efecte va ser descobert per William Thomson en 1857, encara que no va ser capaç de disminuir la resistència en més d'un 5 % (hui en dia s'aplega fins a al 600 %).[2]
Les investigacions recents han permés descobrir materials que presenten efecte MRG (‘magnetorresistencia jagant’), efecte MRC (‘magnetorresistencia colossal’) i efecte TMR (‘magnetorresistencia de túnel’).
Tant la MG com la MRG es basen en l'espin dels electrons i per això formen part de la espintrónica.
Els ordenadors i computadores actuals fan us d'esta propietat. Els discs durs utilisen ben magnetorresistencia, ben magnetorresistencia jagant. Els caps llectors dels discs durs estan compostes per un grup d'elements tal que la seua resistència elèctrica depén del camp magnètic.[3] Els bits en un disc dur es guarden com un chicotet iman. El cap de llectura elèctrica té una resistència elèctrica (MR) que varia quan passa per damunt del «iman menut» que és un bit. Per tant, quan un bit passa per baix del cap llector hi ha una variació de la resistència que pot detectar-se fàcilment.
Referències
- ↑ «magnetorresistencia» en el Diccionario de la lengua española (RAE)
- ↑ Pérez, D. (2013-07-10). «a-els-discs-durs-del-futur_766367/ El roig de Ferrari pot ser clau per als discs durs del futur». El Confidencial. Consultat el 2021-05-15.
- ↑ Erro en la seqüencia d'órdens: no existix el mòdul «Citas».
- Este artícul conté una traducció derivada de «Magnetorresistencia» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.