Efecte túnel magnètic
Si se separa a dos ferromagnetos per mig d'un aïllant prim (al voltant d'1 nm), la resistència de la corrent de túnel canvia en l'orientació relativa de les dos capes magnètiques. La resistència és normalment més alta en el cas antiparalelo. Açò es coneix com a efecte magnetorresistencia túnel (TMR).
Va ser descoberta en 1975 per Michel Julliere,[1] usant ferro com el ferromagneto i germani com a aïllant.
La TMR a temperatura ambiente va ser descoberta en 1995 per Moodera et. al. en renovar-se l'interés en este camp pel descobriment de la magnetorresistencia jaganta.[2][3] És una de les bases de la memòria d'accés aleatori magnètica (MRAM). Vore[4] per a més informació tècnica.
Referències
[editar | editar còdic]- J. S. Moodera et. al., Phys. Rev. Lett. 25, 1270 (1995)
Referències
[editar | editar còdic]
- Este artícul conté una traducció derivada de «Efecto túnel magnético» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.