Transistor d'efecte camp
El transistor d'efecte camp (FET, de l'anglés field-effect transistor) és un transistor que usa el camp elèctric per a controlar la forma i, per lo tant, la conductivitat d'un canal que transporta un sol tipo de portador de càrrega, per lo que també sol ser conegut com a transistor unipolar. És un semiconductor que posseïx tres terminals, denominats porta (representat en la G), drenador (D) i font (S). La porta és el terminal equivalent a la base del transistor d'unió bipolar, del funcionament de la qual es diferencia, ya que en el FET, el voltage aplicat entre la porta i la font controla la corrent que circula en el drenage. Es dividixen en dos tipos els de canal N i els de canal P, depenent del tipo de material del com es compon el canal del dispositiu.
Història
[editar | editar còdic]- Artícul principal → Transistor.
El físic austro-hongarés Julius Lilienfeld va solicitar en Canadà en l'any 1925[1] una palesa per a "un método i un aparat per a controlar corrents elèctriques" i que es considera l'antecessor dels actuals transistors d'efecte camp. Lilienfeld també va solicitar palesos en els Estats Units en els anys 1926[2] i 1928[3][4] pero no va publicar artícul algun d'investigació sobre els seus dispositius, ni els seus palesos citen algun eixemple específic d'un prototip de treball. Degut a que la producció de materials semiconductors d'alta calitat encara no estava disponible per llavors, les idees de Lilienfeld sobre amplificadors d'estat sòlit no varen trobar un us pràctic en els anys 1920 i 1930.[5]
En 1948, va ser patentat el primer transistor de contacte de punt per l'equip dels nortamericans Walter Houser Brattain i John Bardeen[6] i de manera independent, pels alemans Herbert Mataré i Heinrich Welker, mentres treballaven en la Compagnie dones Freins et Signaux, una subsidiària francesa de la nortamericana Westinghouse, pero en donar-se conte estos últims de que els científics de Laboratoris Bell ya havien inventat el transistor abans que ells, l'empresa es va afanyar a posar en producció el seu dispositiu cridat transistron per al seu us en la ret telefònica de França.[7]
En 1951, Wiliam Shockley va solicitar la primera palesa d'un transistor d'efecte de camp,[8] tal com es va declarar en eixe document, en el que es va mencionar l'estructura que ara posseïx. A l'any següent, George Clement Dacey i Ian Ross, dels Laboratoris Bell, varen tindre èxit en fabricar este dispositiu,[9] que la seua nova palesa va ser solicitada el 31 d'octubre de 1952[10] El primer MOSFET va ser construït pel coreà-nortamericà Dawon Kahng i l'egipcíac Martin Atalla, abdós ingeniers dels Laboratoris Bell, en 1960.[11][12]
Tipo de transistors d'efecte camp
[editar | editar còdic]
El canal d'un FET és dopat per a produir tant un semiconductor tipo N o un tipo P. El drenador i la font deuen estar dopats de manera contrària al canal en el cas de el MOSFET d'enriquiment, o dopats de manera similar al canal en el cas de el MOSFET d'agotament. Els transistors d'efecte de camp també són distinguits pel método d'aïllament entre el canal i la porta.
Podem classificar els transistors d'efecte camp segons el método d'aïllament entre el canal i la porta:
- El MOSFET (FET metal-òxit-semiconductor) usa un aïllant (normalment SiO2).
- El JFET (FET d'unió) usa una unió PN.
- El MESFET (FET metàlic semiconductor) substituïx l'unió PN de el JFET en un diodo Schottky.
- En el HEMT (transistor d'alta movilitat d'electrons), també denominat HFET (FET d'estructura heterogénea), la banda de material dopada en buits forma l'aïllant entre la porta i el cos del transistor.
- Els MODFET (FET de modulació dopada)
- Els IGBT (transistor bipolar de porta aïllada) és un dispositiu per a control de potència. Són comunament usats quan el ranc de voltage drenador-font està entre els 200 a 3000V. Aixina i tot els Power MOSFET encara són els dispositius més utilisats en el ranc de tensions drenador-font d'1 a 200 de voltage(V).
- Els FREDFET és un FET especialisat dissenyat per a otorgar una recuperació ultra ràpida del transistor.
- Els DNAFET és un tipo especialisat de FET que actua com biosensor, usant una porta fabricada de molècules de ADN d'una cadena per a detectar cadenes de ADN iguals.
- Els TFT, que fan us de silici amorfo o de silici policristalino.
Vore també
[editar | editar còdic]Referències
[editar | editar còdic]- ↑ «Patent 272437 Summary» (en anglés). Canadian Intellectual Property Office. Archivat des d'el original, el 2 de març de 2016. Consultat el 19 de febrer de 2016.
- ↑ «Patent US 1745175: Method and apparatus for controlling electric currents» (en anglés). United States Patent Office. Consultat el 19 de febrer de 2016.
- ↑ «Patent US 1877140: Amplifier for electric currents» (en anglés). United States Patent Office. Consultat el 19 de febrer de 2016.
- ↑ «Patent US 1900018: Device for controlling electric current» (en anglés). United States Patent Office. Consultat el 19 de febrer de 2016.
- ↑ Today's Engineer.Consultat el 19 de febrer de 2016.
- ↑ «Patent US2524035: Three-electrode circuit element utilizing semiconductive materials» (en anglés). United States Patent Office. Consultat el 13 de març de 2016.
- ↑ «1948: The European Transistor Invention» (en anglés). Computer History Museum. Consultat el 7 de març de 2016.
- ↑ «Patent US2744970: Semiconductor signal translating devices» (en anglés). United States Patent Office. Consultat el 13 de març de 2016.
- ↑ Memorial Tributes.The National Academies Press.17doi:10.17226/18477.Consultat el 14 de març de 2016.
- ↑ «Patent US2778956: Semiconductor signal translating devices» (en anglés). United States Patent Office. Consultat el 13 de març de 2016.
- ↑ «Patent US3102230» (en anglés). United States Patent Office. Consultat el 7 de març de 2016.
- ↑ «1960: Metal Oxide Semiconductor (MOS) Transistor Demonstrated» (en anglés). Computer History Museum. Consultat el 7 de març de 2016.
Referències
[editar | editar còdic]
- Este artícul conté una traducció derivada de «Transistor de efecto campo» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.