Propietats intrínseques i extrínsecas
En ciència i ingenieria, una propietat intrínseca és una propietat d'un subjecte específic que existix en sí mateix o dins del subjecte. Una propietat extrínseca no és essencial ni inherent al subjecte que s'està caracterisant. Per eixemple, la massa és una propietat intrínseca de qualsevol objecte físic, mentres que el pes és una propietat extrínseca que depén de la força del camp gravitacional en el que es coloca l'objecte.
Aplicacions en ciència i ingenieria
[editar | editar còdic]En la ciència dels materials, una propietat intrínseca és independent de la cantitat de material present i és independent de la forma del material, per eixemple, una peça gran o una colecció de partícules menudes. Les propietats intrínseques depenen principalment de la composició química fonamental i l'estructura del material.[1] Les propietats extrínsecas es diferencien per dependre de la presència de contaminants químics evitables o defectes estructurals.[2]
En biologia, els efectes intrínsecs s'originen en l'interior d'un organisme o cèlula, com una malaltia autoinmune o immunitat intrínseca.
En electrònica i òptica, les propietats intrínseques dels dispositius (o sistemes de dispositius) són generalment aquelles que estan lliures de l'influència de varis tipos de defectes no essencials.[3] Tals defectes poden sorgir com a conseqüència d'imperfeccions de disseny, errors de fabricació o extrems operatius i poden produir propietats extrínsecas distintives i a sovint indesijables. L'identificació, optimisació i control de les propietats intrínseques i extrínsecas es troben entre les tasques d'ingenieria necessàries per a conseguir l'alt rendiment i la confiabilidad dels sistemes elèctrics i òptics moderns.[4]
Referències
[editar | editar còdic]- ↑ Food and Packaging Engineering (IFNHH, Massey University, NZ)
- ↑ Mishra, Umesh and Singh, Jasprit, Chapter 1: Structural Properties of Semiconductors. In: Semiconductor Device Physics and Design, 2008, Pages 1-27, doi:10.1007/978-1-4020-6481-4, ISBN 978-1-4020-6481-4
- ↑ Sune, Jordi and Wu, Ernest Y., Chapter 16: Defects Associated with Dielectric Breakdown in SiO2-Based Gate Dielectrics. In: Defects in Microelectronic Materials and Devices (Edited by Fleetwood, Daniel and Schrimpf, Ronald), 2008, Pages 465-496, doi:10.1201/9781420043778, ISBN 9781420043778
- ↑ Ueda, Osamu and Pearton, Stephen J. editors, Materials and Reliability Handbook for Semiconductor Optical and Electron Devices, 2013, doi:10.1007/978-1-4614-4337-7, ISBN 978-1-4614-4337-7
- Este artícul conté una traducció derivada de «Propiedades intrínsecas y extrínsecas» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.