Método Lely
El método Lely o procés Lely és una tecnologia de creiximent de cristals utilisada per a produir cristals de carbur de silici per a l'indústria de semiconductors. La palesa per a este procés va ser presentada en els Països Baixos en 1954 i en els Estats Units en 1955 per Jan Anthony Lely de Philips Electronics. La palesa va ser otorgada posteriorment el 30 de setembre de 1958, i va ser refinada per D. R. Hamilton et al. en 1960, i per V. P. Novikov i V. I. Ionov en 1968.[1]<span title="Erro en la seqüencia d'órdens: no existix el mòdul «DecodeEncode».">: Plantilla:R/where
Generalitats
[editar | editar còdic]El método Lely produïx cristals de carbur de silici a granel a través del procés de sublimació. La pols de carbur de silici es carrega en un cresol de grafit, que es porga en gas argón i es calfa a aproximadament 2,500 °C (4,530 °F). El carbur de silici prop de les parets exteriors del cresol es sublima i es deposita en una barra de grafit prop del centre del cresol, que està a una temperatura més baixa.[1]
Existixen vàries versions modificades del método Lely, més comunament el carbur de silici es calfa des de l'extrem inferior en lloc de les parets del cresol, i es deposita en la tapa. Atres modificacions inclouen la variació de la temperatura, el gradient de temperatura, la pressió de argón i la geometria del sistema. Per lo general, s'utilisa un forn d'inducció per a alcançar les temperatures requerides d'1,800–2,600 °C (3,270–4,710 °F).[1]<span title="Erro en la seqüencia d'órdens: no existix el mòdul «DecodeEncode».">: Plantilla:R/where
Referències
[editar | editar còdic]- ↑ 1,0 1,1 1,2 Byrappa, Kullaiah; Ohachi, {{{nom2}}} (2003). Crystal Growth Technology (en en), Springer Science & Business Mija. ISBN 9783540003670.
- Este artícul conté una traducció derivada de «Método Lely» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.