BiCMOS

Implementació d'inversor en tecnologia BiCMOS.

BiCMOS (contracció de Bipolar-CMOS) és el nom d'una tecnologia de fabricació de circuits integrats que combina les ventages de les tecnologies bipolar i CMOS integrant-les juntes en un mateix wafer.

S'usa en analògica per a la fabricació d'amplificadors i en digital per a alguns components discrets.

Història

Fins fa poc l'integració de transistors MOS i bipolars en un mateix component era difícil i poc viable econòmicament. Per esta raó la major part dels circuits integrats elegien usar una o una atra tecnologia en funció dels criteris de disseny. Els transistors bipolars oferien alta velocitat, alt guany i baixa resistència d'eixida mentres que els CMOS presentaven alta resistència d'entrada que es traduïa en portes llògiques senzilles i de baix consum.

A finals dels 90 les tècniques modernes de fabricació varen escomençar a fer possible els circuits BiCMOS. Esta tecnologia va ser ràpidament adoptada en la fabricació d'amplificadors i va mostrar aixina mateix algunes ventages en circuits digitals. Si ben no s'ha encara alcançat l'alt nivell d'integració permés per la tecnologia CMOS, lo que restringix l'us de la BiCMOS en circuits llògics a escales de baixa i mija integració.

Ventages

Considerem com a eixemple de circuit BiCMOS un amplificador de dos etapes (la primera en un transistor MOS i la segona en un BJT). Està clar que la primera etapa aporta una elevada impedència d'entrada i la segona una baixa resistència d'eixida. Pero ademés para determinades configuracions, sobretot en cascada, presenta també la característica d'una baixa capacitancia (casi tant com en el cas d'un sol BJT). Lo que es traduïx en amplificadors en un alt ample de banda i circuits llògics en alta velocitat de conmutación.

Vore també

• Tecnologia CMOS
• Tecnologia BJT