Memòria òptica Mellon
La memòria òptica Mellon va ser un dels primers tipos de memòria de computadora, inventada en el Institut Mellon d'Investigació Industrial (hui partix de l'Universitat Carnegie Mellon) en 1951.[1][2] El dispositiu va utilisar una combinació d'efecte fotoeléctrico i materials fosforescentes per a produir un «bucle de llum» entre dos superfícies. La presència o falta de llum, detectada per una fotocélula, representava un u o un zero. Encara que prometedor, el sistema va quedar obsolet en l'introducció de la memòria de núcleu magnètic a principis de la década de 1950. Sembla que el sistema mai es va usar en producció.
Descripció
L'element de memòria principal del dispositiu Mellon consistia en un tubo de buit quadrat molt gran (del tamany d'un televisor) que constava de dos plaques de vidre planes llaugerament separades. El costat interior d'una de les plaques estava recobert en un material fotoemisivo que lliberava electrons quan ho colpejava la llum. L'interior de l'atra placa estava recobert en un material fosforescente, que lliberava llum quan era colpejat per electrons.
El tubo estava carregat en un alt voltage elèctric. Quan una font externa de llum colpeja la capa fotoemisora, llibera una pluja d'electrons. Els electrons eren atrets cap a la càrrega positiva en la capa fosforescente, viajant a través del buit. Quan colpejaven la capa fosforescente, lliberaven una pluja de fotons (llum) que viajaven en totes direccions. Alguns d'estos fotons viajaven de tornada a la capa fotoemisora, a on provocarien la lliberació d'una segona pluja d'electrons. Per a garantisar que la llum no activara àrees propenques del material fotoemisivo, s'utilisava un deflector dins del tubo, dividint el dispositiu en una cuadrícula de celes.
El procés d'emissió d'electrons que causa la fotoemisió que a la seua volta causa l'emissió d'electrons és lo que va proporcionar el funcionament de la memòria. Este procés continuava per un curt temps; la llum emesa per la capa fosforescente era molt menor que la cantitat d'energia absorbida per ella dels electrons, per lo que la cantitat total de llum en la cela es desvania a un ritme determinat per les característiques del material fosforescente.
En general, el sistema era similar al més conegut tubo Williams. El tubo Williams va usar el front fosforescente d'un sol CRT per a crear chicotets punts d'electricitat estàtica en una placa disposta front al tubo. No obstant, l'estabilitat d'estos punts va resultar difícil de mantindre en presència de senyals elèctriques externes, que eren comunes en entorns informàtics. El sistema Mellon va reemplaçar les càrregues estàtiques en llum, que era molt més resistent a l'influència externa.
Escritura
L'escritura en la cela es va conseguir per mig d'un tubo de rajos catódicos (CRT) extern dispost front al costat fotoemisivo de la reixeta. Les celes s'activaven usant les bobines de deflexió en el CRT per a colocar el fes en posició front a la cela, allumenant el front del tubo en eixa ubicació. Este pols inicial de llum, enfocat a través d'una lent, posava la cela en l'estat «encés». Per la forma en que funcionava la capa fotoemisora, enfocar la llum novament sobre ella quan ya estava «encesa» sobrecarregava el material, impedint que els electrons fluïxquen per l'atre costat cap a l'interior de la cela. Quan després es llevava la llum externa, la cela estava obscura, apagant-la.
Llectura
La llectura de les cèlules es realisava per mig d'una ret de fotocélulas dispostes darrere de la capa fosforescente, que emetia fotons omnidireccionalment. Açò permetia llegir les celes des de la part posterior del dispositiu, sempre que la capa fosforescente fora lo suficientment prima. Per a formar una memòria completa, el sistema es va dispondre per a que fora regeneratiu, en l'eixida de les fotocélulas amplificada i enviada de regrés al CRT per a actualisar les cèlules periòdicament.
Referències
- ↑ Mellon Institute of Industrial Research: Computer Component Fellowship #, Quart. Rep. no. 3 (Apr.–July 1951) Sec. I–VI; Quart. Rep. no. 5 (Oct.–Jan. 1952) Sec. I–V; Quart. Rep. no. 6 (Jan.–Apr. 1952) Sec. II, III, VI; Quart. Rep. no. 9 (Oct.–Jan. 1953) Section III.
- ↑ «A Survey of Digital Computer Memory Systems».IEEE Ann. Hist. Comput..20(4)
- 15–28.ISSN 1058-6180.doi:10.1109/85.728227.
- Echert Jr., J.P., "A Survey of Digital Computer Memory Systems", Proceedings of the IRE, October 1953. Reprinted in IEEE Annals of the History of Computing, Vol.20, No.4, 1998
Referències
- Este artícul conté una traducció derivada de «Memoria óptica Mellon» de Wikipedia en castellà publicada baix la Llicència de documentació lliure de GNU i la Llicència Creative Commons Reconeiximent-CompartirIgual 4.0 Internacional.