Canvis

{{principal|Transistor|Circuit integrat}}

{{principal|Transistor|Circuit integrat}}

[[Archiu:InternalIntegratedCircuit2.JPG|310px|thumb|Detall d'un [[circuit integrat]] ]]

[[Archiu:InternalIntegratedCircuit2.JPG|310px|thumb|Detall d'un [[circuit integrat]] ]]

L'[[electrònica]], que estudia i empra sistemes el funcionament dels quals es basa en la conducció i el control del flux microscòpic dels [[electrons]] o altres partícules carregades elèctricament, començà amb el [[díode]] de buit inventat per [[John Ambrose Fleming]] el [[1904]], dispositiu basat en l'[[efecte Edison]]. Amb el temps les [[vàlvula de buit|vàlvules de buit]] s'anaren perfeccionant i millorant, apareixent altres tipus i [[miniaturització|miniaturitzant-se]]. El pas essencial el donà el físic estatunidenc [[Walter Houser Brattain]] (1902-1987), incorporat en 1929 als [[laboratoris Bell]], on fou partícip juntament amb [[John Bardeen]] (1908-1991) -incorporat el 1945- i [[William Bradford Shockley]] de l'invent d'un petit dispositiu electrònic [[semiconductor]] que complia funcions d'[[Amplificador electrònic |amplificador]], [[oscil·lador]], [[Commutador elèctric|commutador]] o [[rectificador]]: el [[transistor]]. La paraula elegida per denominar-lo és la contracció anglesa de ''transfer resistor'' (resistència de transferència). Substitut de la [[vàlvula al buit|vàlvula termoiònica]] de tres elèctrodes o [[tríode]], el primer [[transistor]] de puntes de contacte funcionà al desembre del [[1947]]; s'anuncià per primera vegada el 1948 però no s'acabà de fabricar fins al [[1952]], després d'aconseguir construir un dispositiu amb [[germani]] el [[4 de juliol]] del [[1951]], culminant així el seu desenvolupament. El [[transistor d'unió bipolar]] aparegué una mica més tard, el [[1949]], i és el dispositiu utilitzat actualment per la majoria de les aplicacions electròniques. Els seus avantatges respecte a les vàlvules són entre altres menor mida i fragilitat, major rendiment energètic, menors tensions d'alimentació i consum d'energia. El transistor no funciona en buit com les vàlvules, sinó en un estat sòlid semiconductor (silici), motiu pel qual no necessiten centenars de volts de tensió per funcionar.  

L'[[electrònica]], que estudia i ampre sistemes el funcionament dels quals es basa en la conducció i el control del fluix microscòpic dels [[electrons]] o atres partícules carregades elèctricament, començà en el [[díode]] de buit inventat per [[John Ambrose Fleming]] el [[1904]], dispositiu basat en l'[[efecte Edison]]. Amb el temps les [[vàlvula de buit|vàlvules de buit]] s'anaren perfeccionant i millorant, apareixent altres tipus i [[miniaturització|miniaturitzant-se]]. El pas essencial el donà el físic estatunidenc [[Walter Houser Brattain]] (1902-1987), incorporat en 1929 als [[laboratoris Bell]], on fou partícip juntament amb [[John Bardeen]] (1908-1991) -incorporat el 1945- i [[William Bradford Shockley]] de l'invent d'un chicotet dispositiu electrònic [[semiconductor]] que complia funcions d'[[Amplificador electrònic |amplificador]], [[oscil·lador]], [[Commutador elèctric|commutador]] o [[rectificador]]: el [[transistor]]. La paraula elegida per denominar-lo és la contracció anglesa de ''transfer resistor'' (resistència de transferència). Substitut de la [[vàlvula al buit|vàlvula termoiònica]] de tres elèctrodes o [[tríode]], el primer [[transistor]] de puntes de contacte funcionà al decembre del [[1947]]; s'anuncià per primera vegada el 1948 pero no s'acabà de fabricar fins al [[1952]], després de conseguir construir un dispositiu en [[germani]] el [[4 de juliol]] del [[1951]], culminant així el seu desenroll. El [[transistor d'unió bipolar]] aparegué una mica més tart, el [[1949]], i és el dispositiu utilisat actualment per la majoria de les aplicacions electròniques. Els seus aventages respecte a les vàlvules són entre atres menor mida i fragilitat, major rendiment energètic, menors tensions d'alimentació i consum d'energia. El transistor no funciona en buit com les vàlvules, sino en un estat sòlit semiconductor (silici), motiu pel qual no necessiten centenars de volts de tensió per funcionar.  

El transistor ha contribuït, com cap altra invenció, al gran desenvolupament actual de l'[[electrònica]] i la [[informàtica]], sent utilitzat comercialment en tot tipus d'aparells electrònics, tant domèstics com industrials. La primera aplicació d'aquests dispositius es féu en els [[audiòfon]]s. Pel seu treball amb els semiconductors i pel descobriment del transistor, Walter Houser Brattain compartí amb Shockley i Bardeen el [[1956]] el [[Premi Nobel de Física]].<ref>[http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/brattain-bio.html Biografia de Walter Houser Brattain] (en inglés).nobelprize.org [21-05-2008]</ref>

El transistor ha contribuït, com cap atra invenció, al gran desenroll actual de l'[[electrònica]] i la [[informàtica]], sent utilisat comercialment en tot tipo d'aparells electrònics, tant domèstics com industrials. La primera aplicació d'estos dispositius es féu en els [[audiòfon]]s. Pel seu treball en els semiconductors i pel descobriment del transistor, Walter Houser Brattain compartí en Shockley i Bardeen el [[1956]] el [[Premi Nobel de Física]].<ref>[http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/brattain-bio.html Biografia de Walter Houser Brattain] (en inglés).nobelprize.org [21-05-2008]</ref>

La construcció de [[circuit electrònic|circuits electrònics]] permeté resoldre molts problemes pràctics (control, processament i distribució d'informació, conversió i distribució de l'energia elèctrica, etc.). El [[1958]] es desenvolupà el primer [[circuit integrat]], que integrava sis transistors en un únic [[Circuit integrat |xip]], i el 1970 es desenvolupà el primer [[microprocessador]] ([[Intel 4004]]).

La construcció de [[circuit electrònic|circuits electrònics]] permeté resoldre molts problemes pràctics (control, processament i distribució d'informació, conversió i distribució de l'energia elèctrica, etc.). El [[1958]] es desenrollà el primer [[circuit integrat]], que integrava sis transistors en un únic [[Circuit integrat |xip]], i el 1970 es desenrollà el primer [[microprocessador]] ([[Intel 4004]]).

Actualment, els camps de desenvolupament de l'electrònica són tan vastos que s'ha dividit en diverses ciències especialitzades, partint de la distinció entre [[electrònica analògica]] i [[electrònica digital]]; i en els camps de l'[[enginyeria electrònica]], l'[[electromecànica]], la [[informàtica]] (disseny de [[programari]] pel seu control), l'[[electrònica de control]], les [[telecomunicacions]] i l'[[electrònica de potència]].<ref> González Gómez, Juan [http://www.iearobotics.com/personal/juan/docencia/apuntes-ssdd-0.3.7.pdf Circuits i sistemes digitals] Universitat Pontifícia de Salamanca Madrid. [24-05-2008]</ref>

Actualment, els camps de desenroll de l'electrònica són tan bastos que s'ha dividit en diverses ciències especialisades, partint de la distinció entre [[electrònica analògica]] i [[electrònica digital]]; i en els camps de l'[[ingenieria electrònica]], l'[[electromecànica]], la [[informàtica]] (disseny de [[programari]] pel seu control), l'[[electrònica de control]], les [[telecomunicacions]] i l'[[electrònica de potència]].<ref> González Gómez, Juan [http://www.iearobotics.com/personal/juan/docencia/apuntes-ssdd-0.3.7.pdf Circuits i sistemes digitals] Universitat Pontifícia de Salamanca Madrid. [24-05-2008]</ref>

El [[1951]] Bardeen, un dels dissenyadors del transistor, ingressà en la [[Universitat d'Illinois]], nomenant assistent personal el físic [[Nick Holonyak]], el qual posteriorment dissenyaria el primer [[díode LED]] el [[1962]]. Treballà juntament amb [[Leon N. Cooper]] i [[John Robert Schrieffer]] per crear la teoria estàndard de la [[superconductivitat]], és a dir, la desaparició de la resistència elèctrica en certs metalls i aliatges a temperatures properes al [[zero absolut]]. Per aquests treballs compartí de nou, el [[1972]], el [[Premi Nobel de Física]] amb els físics estatunidencs [[Leon N. Cooper]] i [[John R. Schrieffer]]. Això féu que ell fos el primer científic que guanyà dos premis Nobel en la mateixa disciplina.<ref>Martinez Domínguez. Fernando[http://www.webcitation.org/query?id=1256589243614137&url=www.geocities.com/SiliconValley/Program/7735/ Biografia de Jonh Bardeen] Història de l'electricitat. [21-”5-2008]</ref> Les aplicacions de la superconductivitat estan encara en les primeres fases del seu desenroll, pero ya han permès els [[electroimants]] més poderosos (que s'utilitzen en el [[tren Maglev]], [[ressonància magnètica nuclear]] i [[acceleradors de partícules]]); [[circuit digital|circuits digitals]] i filtres de [[radiofreqüència]] i [[microones]] per estacions base de [[telefonia mòbil]]; o els [[magnetòmetre]]s més sensibles ([[efecte Josephson|unions Josephson]], dels [[SQUID]]s -dispositius superconductors d'interferència quàntica-).

El [[1951]] Bardeen, un dels dissenyadors del transistor, ingressà en la [[Universitat d'Illinois]], nomenant assistent personal el físic [[Nick Holonyak]], el qual posteriorment dissenyaria el primer [[diodo LED]] el [[1962]]. Treballà juntament en [[Leon N. Cooper]] i [[John Robert Schrieffer]] per crear la teoria estàndart de la [[superconductivitat]], és a dir, la desaparició de la resistència elèctrica en certs metals i aliatges a temperatures propenques al [[zero absolut]]. Per estos treballs compartí de nou, el [[1972]], el [[Premi Nobel de Física]] amb els físics estatunidencs [[Leon N. Cooper]] i [[John R. Schrieffer]]. Això féu que ell fos el primer científic que guanyà dos premis Nobel en la mateixa disciplina.<ref>Martinez Domínguez. Fernando[http://www.webcitation.org/query?id=1256589243614137&url=www.geocities.com/SiliconValley/Program/7735/ Biografia de Jonh Bardeen] Història de l'electricitat. [21-”5-2008]</ref> Les aplicacions de la superconductivitat estan encara en les primeres fases del seu desenroll, pero ya han permès els [[electroimants]] més poderosos (que s'utilitzen en el [[tren Maglev]], [[ressonància magnètica nuclear]] i [[acceleradors de partícules]]); [[circuit digital|circuits digitals]] i filtres de [[radiofreqüència]] i [[microones]] per estacions base de [[telefonia mòbil]]; o els [[magnetòmetre]]s més sensibles ([[efecte Josephson|unions Josephson]], dels [[SQUID]]s -dispositius superconductors d'interferència quàntica-).

=== El repte de la generació d'electricitat ===

=== El repte de la generació d'electricitat ===